{"product_id":"bsc0901ns-mosfet-nchannel-hashboard-replacement","title":"BSC0901NS MOSFET de gestión de energía de 30V para Antminer","description":"\u003ch2 style=\"text-align: left;\" data-mce-fragment=\"1\"\u003e Optimice la gestión de energía con el MOSFET OptiMOS BSC0901NS\u003c\/h2\u003e\n\n\u003cp data-mce-fragment=\"1\"\u003e Actualice su sistema de administración de energía con el \u003cstrong\u003eMOSFET de administración de energía OptiMOS 30V Antminer S9 BSC0901NS\u003c\/strong\u003e . Diseñados para un control de energía eficaz, estos MOSFET ofrecen una carga de compuerta y de salida ultrabaja, así como la resistencia en estado encendido más baja en paquetes pequeños. Con un comportamiento EMI especial para reducir la interferencia, estos MOSFET son ideales para una amplia gama de aplicaciones, incluidas \u003cstrong\u003elas placas hash de criptomineros Antminer\u003c\/strong\u003e , cargadores integrados, placas base de computadoras, conversión CC-CC, VRD\/VRM, control de motores y aplicaciones LED.\u003c\/p\u003e\n\n\u003ch3 data-mce-fragment=\"1\"\u003e MOSFET de potencia de alto rendimiento para Antminer S9 y más\u003c\/h3\u003e\n\n \u003cp data-mce-fragment=\"1\"\u003eLos MOSFET OptiMOS BSC0901NS son FET de canal N con un \u003cstrong\u003evoltaje de drenaje a fuente (Vdss) de 30 V\u003c\/strong\u003e , lo que los hace adecuados para diversos requisitos de administración de energía. Con una corriente de drenaje continua (Id) de 28 A (Ta) y 100 A (Tc), estos MOSFET \u003cstrong\u003ebrindan un rendimiento confiable en condiciones exigentes\u003c\/strong\u003e .\u003c\/p\u003e\n\n\u003cp data-mce-fragment=\"1\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\u003ch4 data-mce-fragment=\"1\"\u003e BSC0901NS Características técnicas:\u003c\/h4\u003e\n\n\u003cdiv style=\"text-align: center;\"\u003e\n\n\u003ctable width=\"684\"\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd rowspan=\"2\" width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Categoría\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Productos semiconductores discretos\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Transistores - FET, MOSFET - Sencillos\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Paquete\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Cinta y carrete (TR)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Estado de la pieza\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Activo\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Tipo FET\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Canal N\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Tecnología\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e MOSFET (Óxido Metálico)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 30 voltios\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 28 A (Ta), 100 A (Tc)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 4,5 V, 10 V\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Rds activado (máximo) @ Id, Vgs\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 1,9 mOhm a 30 A, 10 V\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Vgs(th) (Máx.) @ Id\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 2,2 V a 250 µA\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 44 nC a 10 V\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Vgs (máximo)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e ±20 V\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 2800 pF a 15 V\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Función FET\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e -\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Disipación de potencia (máxima)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 2,5 W (Ta), 69 W (Tc)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Temperatura de funcionamiento\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e -55 °C ~ 150 °C (TJ)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Tipo de montaje\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Montaje en superficie\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Paquete \/ Caja\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 8-PoderTDFN\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Número de producto base\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Licenciatura en Ciencias Económicas y Empresariales (BSC0901)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e","brand":"LYS Shenzhen","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":41744967434419,"sku":null,"price":0.7,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0627\/6710\/4179\/files\/Antminer-S9-BSC0901NS-OptiMOS-30V-Power-Management-MOSFET-Power-Control-new.webp?v=1749015955","url":"https:\/\/lys-sz.com\/es\/products\/bsc0901ns-mosfet-nchannel-hashboard-replacement","provider":"LYS Shenzhen","version":"1.0","type":"link"}