{"product_id":"bsc0901ns-mosfet-nchannel-hashboard-replacement","title":"BSC0901NS 30V MOSFET для управления питанием Antminer","description":"\u003ch2 style=\"text-align: left;\" data-mce-fragment=\"1\"\u003e Оптимизируйте управление питанием с помощью BSC0901NS OptiMOS MOSFET\u003c\/h2\u003e\n\n\u003cp data-mce-fragment=\"1\"\u003e Обновите свою систему управления питанием с помощью \u003cstrong\u003eМОП-транзистора Antminer S9 BSC0901NS OptiMOS 30 В Power Management\u003c\/strong\u003e . Разработанные для эффективного управления питанием, эти МОП-транзисторы обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и выхода, а также самое низкое сопротивление в открытом состоянии в небольших корпусах. Благодаря особому поведению ЭМП для снижения помех эти МОП-транзисторы идеально подходят для широкого спектра приложений, включая \u003cstrong\u003eхэш-платы криптомайнеров Antminer\u003c\/strong\u003e , встроенные зарядные устройства, материнские платы компьютеров, DC-DC-преобразование, VRD\/VRM, управление двигателем и светодиодные приложения.\u003c\/p\u003e\n\n\u003ch3 data-mce-fragment=\"1\"\u003e Высокопроизводительный силовой МОП-транзистор для Antminer S9 и других устройств\u003c\/h3\u003e\n\n \u003cp data-mce-fragment=\"1\"\u003eТранзисторы BSC0901NS OptiMOS MOSFET представляют собой N-канальные полевые транзисторы с \u003cstrong\u003eнапряжением сток-исток (Vdss) 30 В\u003c\/strong\u003e , что делает их пригодными для различных требований к управлению питанием. С непрерывным током стока (Id) 28 А (Ta) и 100 А (Tc) эти MOSFET \u003cstrong\u003eобеспечивают надежную работу в сложных условиях\u003c\/strong\u003e .\u003c\/p\u003e\n\n\u003cp data-mce-fragment=\"1\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\u003ch4 data-mce-fragment=\"1\"\u003e Технические характеристики BSC0901NS:\u003c\/h4\u003e\n\n\u003cdiv style=\"text-align: center;\"\u003e\n\n\u003ctable width=\"684\"\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd rowspan=\"2\" width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Категория\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Дискретные полупроводниковые изделия\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Упаковка\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Лента и катушка (TR)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Статус детали\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Активный\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Тип полевого транзистора\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e N-канал\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Технологии\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e МОП-транзистор (металлооксидный)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Напряжение сток-исток (Vdss)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 30 В\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 28А (Та), 100А (Тс)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 4,5В, 10В\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Rds On (макс.) @ Id, Vgs\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 1,9 мОм при 30 А, 10 В\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Vgs(th) (Макс) @ Id\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 2,2 В при 250 мкА\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 44 нКл при 10 В\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Vgs (макс.)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e ±20В\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 2800 пФ при 15 В\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Особенность полевого транзистора\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e -\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Рассеиваемая мощность (макс.)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 2,5 Вт (Та), 69 Вт (Тс)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Рабочая температура\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e -55°C ~ 150°C (ТДж)\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Тип крепления\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Поверхностный монтаж\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Упаковка \/ Кейс\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e 8-PowerTDFN\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd width=\"360\"\u003e\n\n\u003cp\u003e Базовый номер продукта\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd width=\"324\"\u003e\n\n\u003cp\u003e БСК0901\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e","brand":"LYS Shenzhen","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":41744967434419,"sku":null,"price":0.7,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0627\/6710\/4179\/files\/Antminer-S9-BSC0901NS-OptiMOS-30V-Power-Management-MOSFET-Power-Control-new.webp?v=1749015955","url":"https:\/\/lys-sz.com\/ru\/products\/bsc0901ns-mosfet-nchannel-hashboard-replacement","provider":"LYS Shenzhen","version":"1.0","type":"link"}