{"product_id":"srt045n012hs-low-voltage-power-mosfet-advanced-technology-high-power-density","title":"Низковольтный силовой МОП-транзистор SRT045N012HS — передовая технология для приложений с высокой плотностью мощности","description":"\u003ch2 style=\"text-align: left;\"\u003eПовысьте энергоэффективность с помощью низковольтного силового МОП-транзистора SRT045N012HS\u003c\/h2\u003e\n\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eSRT045N012HS — это высокопроизводительный низковольтный силовой МОП-транзистор\u003c\/strong\u003e , использующий усовершенствованную технологию split gate trench. Разработанный для приложений, требующих исключительной плотности мощности и синхронного выпрямления, этот МОП-транзистор предлагает ряд функций для \u003cstrong\u003eповышения производительности\u003c\/strong\u003e и эффективности.\u003c\/p\u003e\n\n\u003ch3\u003e Быстрое переключение и низкое сопротивление открытого канала для превосходной плотности мощности\u003c\/h3\u003e\n\n\u003cp\u003e Благодаря сверхнизкому сопротивлению в открытом состоянии всего 1,07 мОм при VGS = 10 В, SRT045N012HS минимизирует потери мощности и повышает общую энергоэффективность. Низкий заряд затвора 73 нКл (типично) обеспечивает быстрое время переключения, снижая потери переключения и повышая отзывчивость системы.\u003c\/p\u003e\n\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\u003ch4\u003e Характеристики МОП-транзистора SRT045N012HS:\u003c\/h4\u003e\n\n\u003ctable\u003e\n\n\u003cthead\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003cth style=\"text-align: center;\"\u003e Особенность\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth style=\"text-align: center;\"\u003e Подробности \u003c\/th\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/thead\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e Сопротивление включения (RDS(ON))\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e Сверхнизкий - 1,07 мОм при VGS = 10 В\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e Заряд затвора (Qg)\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e Сверхнизкий - 73 нК (типично)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e Возможность переключения\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e Быстрое время переключения\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e Дизайн\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e Надежный с улучшенными характеристиками EAS\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e Улучшение ЭМП\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e Улучшенные характеристики электромагнитных помех\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e Упаковка\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e ТО-263-2\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e Квалифицированный\u003c\/td\u003e\n\n \u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003eНеавтомобильная квалификация\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e","brand":"LYS Shenzhen","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":42902995140787,"sku":null,"price":0.6,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0627\/6710\/4179\/files\/SRT045N012HS-Low-Voltage-Power-MOSFET-Advanced-Technology-High-Power-Density-Applications.webp?v=1745195288","url":"https:\/\/lys-sz.com\/ru\/products\/srt045n012hs-low-voltage-power-mosfet-advanced-technology-high-power-density","provider":"LYS Shenzhen","version":"1.0","type":"link"}