{"product_id":"wmj36n65f2-650v-n-channel-sj-mosfet","title":"WMJ36N65F2 650В N-канальный SJ-MOSFET в корпусе TO-247","description":"\u003ch2 style=\"text-align: left;\"\u003eWMJ36N65F2 — высокопроизводительный N-канальный SJ-MOSFET транзистор 650 В (TO-247)\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eПовысьте эффективность и надежность вашей силовой электроники с помощью \u003cstrong\u003eWMJ36N65F2\u003c\/strong\u003e — \u003cstrong\u003eN-канального MOSFET транзистора второго поколения со сверхъёмким переходом (Super-Junction)\u003c\/strong\u003e, разработанного для быстродействующих приложений. Его \u003cstrong\u003eбыстрый диод тела\u003c\/strong\u003e обеспечивает улучшенные характеристики обратного восстановления, что делает его идеальным для современных источников питания с коммутацией (SMPS), корректоров коэффициента мощности (PFC), инверторов и систем промышленного управления.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eБыстродействующий SJ-MOSFET для требовательных силовых приложений\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eWMJ36N65F2\u003c\/strong\u003e отличается низким сопротивлением R\u003csub\u003eDS(on)\u003c\/sub\u003e, высокой лавинной стойкостью и надежными тепловыми характеристиками в корпусе \u003cstrong\u003eTO-247\u003c\/strong\u003e. Это обеспечивает низкие потери проводимости, меньший нагрев и долговременную стабильность даже при большой нагрузке.\u003c\/p\u003e\n\u003ch4\u003e\u003cstrong\u003eПараметры продукта WMJ36N65F2:\u003c\/strong\u003e\u003c\/h4\u003e\n\u003ctable style=\"width: 520px;\"\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: left;\"\u003eНапряжение сток-исток (V\u003csub\u003eDS\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e650В\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: left;\"\u003eМакс. R\u003csub\u003eDS(on)\u003c\/sub\u003e при V\u003csub\u003eGS\u003c\/sub\u003e=10В\u003c\/td\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e0.105Ом\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: left;\"\u003eПостоянный ток стока (I\u003csub\u003eD\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e36А при 25°C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: left;\"\u003eРассеиваемая мощность (P\u003csub\u003eD\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e277Вт при 25°C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: left;\"\u003eНапряжение затвор-исток (V\u003csub\u003eGS\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e±30В\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: left;\"\u003eПороговое напряжение затвора (V\u003csub\u003eGS(th)\u003c\/sub\u003e)\u003c\/td\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003eТип. 4В\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: left;\"\u003eМакс. V\u003csub\u003eDS\u003c\/sub\u003e при T\u003csub\u003eJ,max\u003c\/sub\u003e\n\u003c\/td\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e700В\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: left;\"\u003eТипичное R\u003csub\u003eDS(on)\u003c\/sub\u003e\n\u003c\/td\u003e\n\u003ctd style=\"text-align: center;\"\u003e0.087Ом\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch4\u003e\u003cstrong\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h4\u003e\n\u003ch4\u003e\u003cstrong\u003eОсобенности WMJ36N65F2:\u003c\/strong\u003e\u003c\/h4\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eSJ-MOSFET второго поколения\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eБыстрый диод тела для высокочастотного переключения\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eВысокая лавинная стойкость (100% тестирование UIS)\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eНизкое R\u003csub\u003eDS(on)\u003c\/sub\u003e для снижения потерь проводимости\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eВысокая устойчивость к dv\/dt\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eБессвинцовое покрытие и отсутствие галогенов\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch4\u003e\u003cstrong\u003eТипичные применения:\u003c\/strong\u003e\u003c\/h4\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eСерверные и промышленные SMPS\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eКаскады PFC\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eСолнечные инверторы и зарядные устройства\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eУправление двигателями и промышленные приводы\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eПлатформы преобразования высокого напряжения\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e","brand":"LYS Shenzhen","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":42525638328499,"sku":null,"price":1.98,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0627\/6710\/4179\/files\/WMJ36N65F2-650V-N-Channel-SJ-MOSFET-TO-247.webp?v=1774275405","url":"https:\/\/lys-sz.com\/ru\/products\/wmj36n65f2-650v-n-channel-sj-mosfet","provider":"LYS Shenzhen","version":"1.0","type":"link"}