IXFP4N85X 850 В N-канальный МОП-транзистор для майнинговых блоков питания и DC-DC-преобразователей

IXFP4N85X 850В N-канальный MOSFET | Силовой транзистор HiPERFET для блоков питания майнинга и DC-DC преобразователей

IXFP4N85X — это высокопроизводительный N-канальный MOSFET X-класса HiPERFET™, рассчитанный на пробивное напряжение 850 В и постоянный ток 3,5 А, созданный специально для высоковольтного переключения на первичной стороне, используемого в блоках питания для майнинга ASIC, DC-DC преобразователях и PFC-схемах. Благодаря своей лавинной надежности и стандартному корпусу TO-220, он легко встраивается в рабочие процессы по ремонту блоков питания, где отказ высоковольтного MOSFET является распространенной неисправностью.

Этот компонент HiPERFET сочетает в себе запас мощности, необходимый для круглосуточной работы майнинга, с тепловым пакетом (от -55°C до +150°C, рассеиваемая мощность 150 Вт) и характеристиками переключения (низкий заряд затвора 7 нКл) для поддержания высокой эффективности при длительной нагрузке. Для ремонтных мастерских, запасающих распространенные высоковольтные MOSFET для блоков питания APW / Whatsminer, IXFP4N85X является надежной заменяемой на месте деталью.

Низкое RDS(ON) 2,5 Ом | Корпус TO-220 | от -55°C до +150°C — Идеально для суровых условий майнинга

• Сверхнизкое RDS(ON) 2,5 Ом — минимизирует потери мощности при непрерывных циклах майнинга.
• Высокая температурная устойчивость (от -55°C до +150°C) — выдерживает суровые условия майнинговой фермы.
• Корпус TO-220 — стандартный форм-фактор для быстрой установки в сквозные отверстия.
• Низкий заряд затвора 7 нКл — обеспечивает более быстрое переключение и повышенную эффективность блока питания.
• Мощность 150 Вт — надежная работа для высоконагруженных приложений майнинга.
• Лавинная стойкость — надежное поведение при кратковременных перенапряжениях.

Где IXFP4N85X используется в блоке питания для майнинга

IXFP4N85X предназначен для высоковольтной первичной стороны импульсных источников питания — секции, которая обрабатывает выпрямленную постоянную шину сети до трансформатора. В блоках питания ASIC отказ MOSFET на этом этапе является частым следствием длительного теплового стресса и скачков напряжения. Замена вышедшего из строя устройства на новый компонент класса HiPERFET восстанавливает производительность переключения и предотвращает каскадные отказы в цепи управления затвором.

Характеристики N-канального MOSFET IXFP4N85X 850В

Сопутствующие товары

• STP6N95K5 950V N-канальный MOSFET (БП APW12)
• NCEP039N10M MOSFET 100V 135A (DC-DC)
• Оптопара LTV-817C – БП APW8/APW9/APW17
• Чип изолятора NSi8100N – БП APW17

Ремонтные мастерские, заказывающие 850В MOSFETs оптом, могут отправить электронное письмо по адресу contact@lys-sz.com для получения оптовых цен и согласованных комплектов для ремонта блоков питания. Доставка по всему миру с нашего склада в Шэньчжэне.