WMJ53N65F2 N-канальный MOSFET с диодным переходом на 650 В
Не удалось загрузить сведения о доступности самовывоза
Have questions about this product? Our team is here to help — just reach out on WhatsApp.
💬 Contact Us on WhatsAppО товаре
WMJ53N65F2 - высококачественный 650 В N-канальный диодный переход MOSFET для силовой электроники
Повысьте производительность вашей силовой электроники с помощью WMJ53N65F2, высококачественного 650-вольтового N-канального диодного МОП-транзистора . Этот МОП-транзистор обеспечивает быструю коммутацию и надежную работу, что делает его отличным выбором для требовательных приложений питания. Благодаря корпусу TO-247 он обеспечивает знакомый формат, который легко интегрируется в существующие системы.
Модернизируйте свою силовую электронику с помощью MOSFET WMJ53N65F2
WMJ53N65F2 может похвастаться впечатляющими характеристиками , включая VDS (напряжение сток-исток) 650 В, что обеспечивает надежную работу в условиях высокого напряжения. С RDS(on) (сопротивлением в открытом состоянии) 0,078 Ом при VGS=10 В (макс.) он минимизирует потери мощности и повышает общую эффективность. ID (непрерывный ток стока) 50 А при TA=25 ℃ позволяет выдерживать значительные нагрузки, в то время как PD (рассеиваемая мощность) 350 Вт при TA=25 ℃ обеспечивает эффективное рассеивание тепла.
Быстрое переключение и надежная работа: WMJ53N65F2 650 В N-канальный диодный переход MOSFET
| Особенность | Ценить |
|---|---|
| ВДС (В) | 650 |
| RDS(вкл) (Ом) | 0,078 при VGS=10 В (макс.) |
| Идентификатор (А) | 50 при t=25℃ |
| ПД (Ж) | 350 при t=25℃ |
| ВГС (В) | 30 |
| ВГС(й) (В) | 3 (типично) |
Buying in bulk for a mining farm or repair shop?
Get dedicated B2B pricing on this part and across our full catalog — quote response within 24 hours, payment by T/T USD bank wire, and DDP delivery available for US & EU customers (and other lanes on request).
