Высокопроизводительный МОП-транзистор CJ3407 для переключателей нагрузки и ШИМ-приложений
Не удалось загрузить сведения о доступности самовывоза
Have questions about this product? Our team is here to help — just reach out on WhatsApp.
💬 Contact Us on WhatsAppО товаре
Улучшение управления питанием с помощью MOSFET CJ3407
Улучшите свои возможности управления питанием с помощью CJ3407 MOSFET, высокопроизводительного компонента, разработанного для эффективного переключения нагрузки и ШИМ-приложений. Благодаря передовой технологии траншей этот MOSFET обеспечивает оптимизированный RDS(on) и низкий заряд затвора, гарантируя надежное и точное управление в различных схемах.
Оптимизированный RDS(on) и низкий заряд затвора для надежного переключения нагрузки и управления ШИМ
CJ3407 размещен в компактном корпусе S0T-23, что делает его идеальным для проектов с ограниченным пространством, где эффективность и надежность имеют первостепенное значение. Независимо от того, работаете ли вы с портативными устройствами, системами с питанием от батарей или другими чувствительными к питанию приложениями, CJ3407 — идеальный выбор.
Технические характеристики CJ3407:
| Особенность | Спецификация |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток (VDS) | -30 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В |
| Максимальный постоянный ток утечки (ID) | -4,1 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 350 мВт |
| Максимальная температура перехода (TJ) | 150°С |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | @(VGS=-10 В, ID=-4,1 А): 60 мОм |
| @(VGS = -4,5 В, ID= -3 А): 87 мОм | |
| Упаковка | С0Т-23 |
| Шелкография Марка | 3407 |
Buying in bulk for a mining farm or repair shop?
Get dedicated B2B pricing on this part and across our full catalog — quote response within 24 hours, payment by T/T USD bank wire, and DDP delivery available for US & EU customers (and other lanes on request).
