FHP120N08D Надежная замена N-канального MOSFET

Повышение производительности и надежности с помощью N-канального МОП-транзистора FHP120N08D

Представляем FHP120N08D, N-канальный полевой транзистор с режимом улучшения (MOSFET), известный своей надежностью и производительностью. Этот MOSFET, упакованный по технологии TO-220, обычно используется для замены неисправных компонентов, обеспечивая бесперебойную работу в различных приложениях.

Высокая рассеиваемая мощность и низкое сопротивление в открытом состоянии для замены неисправных компонентов

FHP120N08D предлагает впечатляющие характеристики для повышения производительности и надежности. С максимальной рассеиваемой мощностью (Pd) 230 Вт он может легко справляться с приложениями высокой мощности. Максимальное напряжение сток-исток (|Vds|) 80 В и напряжение затвор-исток (|Vgs|) 25 В обеспечивают достаточный запас для требований по напряжению.

Технические характеристики FHP120N08D:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток (|Vds|): 80 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (|Vgs|): 25 В
• Максимальное пороговое напряжение затвора (|Vgs(th)|): 4 В
• Максимальный ток стока (|Id|): 120 А
• Общий заряд затвора (Qg): 60 нКл
• Время нарастания (tr): 40 нс
• Емкость сток-исток (Cd): 500 пФ
• Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0,008 Ом
• Пакет: ТО-220