N-канальный МОП-транзистор JCS12N65FT — оптимальный выбор для эффективного управления силовыми переключателями
Представляем N-канальный MOSFET JCS12N65FT , идеальное решение для повышения эффективности и производительности управления переключением питания вашего устройства. Изготовленный с использованием передовой технологии траншей, этот MOSFET специально разработан для высокоэффективных импульсных источников питания , электронных ламповых балластов на основе полумоста, светодиодных источников питания и многого другого.
Передовая технология Trench для высокоэффективных энергетических приложений
N-канальный MOSFET JCS12N65FT разработан для обеспечения исключительной производительности благодаря низкому заряду затвора, низкому Crss (тип. 23 пФ) и высокой скорости переключения. Эти характеристики имеют решающее значение для минимизации потерь мощности и оптимизации эффективности передачи мощности в различных приложениях . MOSFET испытан лавинным методом, что гарантирует надежную работу даже в сложных условиях.
Таблица характеристик JCS12N65FT:
Особенность
Спецификация
Категория продукта
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Полевые транзисторы - одиночные
Тип транзистора
N-канал
Ток сток-исток (ID) при 25℃
12А
Ток сток-исток (ID) при 100℃
7.6А
Напряжение пробоя (BVdss)
650В
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds(on))
0,78 Ом
Заряд затвора (тип Qg)
39нС
Улучшенные возможности dv/dt
Да
Согласие
RoHS
📦 Shipping & Customs⌄
🇺🇸🇪🇺 USA & European Union (DDP): Orders are delivered DDP. All customs duties, import taxes, and fees are included — no additional charges on delivery.
🌍 Rest of world: Orders ship from China. Depending on your country, local customs authorities may apply import duties or taxes.
Get dedicated B2B pricing on this part and across our full catalog —
quote response within 24 hours, payment by T/T USD bank wire,
and DDP delivery available for US & EU customers (and other lanes on request).
Volume tiers
DDP for US & EU
T/T USD wire
24h response