0 Корзина$0.00 USD
  • JCS12N65FT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor TO-220MF
  • JCS12N65FT N-Channel MOSFET - The Optimal Choice for Efficient Power Switch Management
  • JCS12N65FT N-Channel MOSFET - The Optimal Choice for Efficient Power Switch Management
1 3

JCS12N65FT N-канальный полевой транзистор с режимом усиления TO-220MF

$0.42 USD
$0.42 USD
Распродажа Продано
Стоимость доставки рассчитывается при оформлении заказа.
Get Business Pricing

Дополнительные подробности

Стоимость доставки будет автоматически рассчитана в процессе оформления заказа.

Для получения дополнительной информации и помощи свяжитесь с нами через контактную форму.
Secure checkout
SSL encryption & invoicing options
Worldwide shipping
Export-ready customs documentation
QC-tested spare parts
Specialized in ASIC miner hardware
Technical support
Assistance from mining engineers

Have questions about this product? Our team is here to help — just reach out on WhatsApp.

💬 Contact Us on WhatsApp

О товаре

N-канальный МОП-транзистор JCS12N65FT — оптимальный выбор для эффективного управления силовыми переключателями

Представляем N-канальный MOSFET JCS12N65FT , идеальное решение для повышения эффективности и производительности управления переключением питания вашего устройства. Изготовленный с использованием передовой технологии траншей, этот MOSFET специально разработан для высокоэффективных импульсных источников питания , электронных ламповых балластов на основе полумоста, светодиодных источников питания и многого другого.

Передовая технология Trench для высокоэффективных энергетических приложений

N-канальный MOSFET JCS12N65FT разработан для обеспечения исключительной производительности благодаря низкому заряду затвора, низкому Crss (тип. 23 пФ) и высокой скорости переключения. Эти характеристики имеют решающее значение для минимизации потерь мощности и оптимизации эффективности передачи мощности в различных приложениях . MOSFET испытан лавинным методом, что гарантирует надежную работу даже в сложных условиях.

Таблица характеристик JCS12N65FT:

Особенность Спецификация
Категория продукта Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы Полевые транзисторы - одиночные
Тип транзистора N-канал
Ток сток-исток (ID) при 25℃ 12А
Ток сток-исток (ID) при 100℃ 7.6А
Напряжение пробоя (BVdss) 650В
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds(on)) 0,78 Ом
Заряд затвора (тип Qg) 39нС
Улучшенные возможности dv/dt Да
Согласие RoHS

Обратите внимание, что для иностранных клиентов:

Этот товар отправляется из Китая. Обратите внимание, что ваш заказ может облагаться налогами на импорт, таможенными пошлинами и сборами , взимаемыми страной назначения после прибытия посылки. Эти сборы оплачиваются покупателем и не включены в цену товара или стоимость доставки. Мы не можем предсказать размер этих сборов, поскольку они различаются в зависимости от страны.

Просмотреть всю информацию

Записи в блоге

Просмотреть весь блог

Свяжитесь с нами. Мы свяжемся с вами в течение 24 часов.

Есть вопросы?

Если вы хотите узнать больше о нас и нашей продукции, свяжитесь с нами!

Контактная информация

ЛИС-СЗ

+86 182 1872 0821

Подписывайтесь на нас

Вам может понравиться