Высокопроизводительный барьерный диод Шоттки LBAT54HT1G JV для эффективных схем
Модернизируйте свои электронные схемы с помощью диода с барьером Шоттки LBAT54HT1G JV. Разработанный для оптимальной производительности и эффективности, этот диод имеет чрезвычайно низкое прямое напряжение 0,4 В, что значительно снижает потери проводимости. Его миниатюрный корпус SOD-323 делает его идеальным для приложений с ограниченным пространством, таких как карманные и портативные устройства.
Миниатюрный корпус SOD-323 | Чрезвычайно низкое прямое напряжение | Оригинальное аутентичное качество
Диод LBAT54HT1G JV гарантирует подлинность и исключительное качество, обеспечивая вам надежную работу. С обратным током утечки (Ir) всего 2uA и номинальным обратным напряжением (Vr) 30V этот диод обеспечивает надежную и эффективную работу в различных схемах.
Технические характеристики LBAT54HT1G:
Технические характеристики
Спецификация
Обратный ток утечки
2мкА
Обратное напряжение
30В
Прямое напряжение (Vf@If)
0,4 В
Средний выпрямленный ток
0,2 В
📦 Shipping & Customs⌄
🇺🇸🇪🇺 USA & European Union (DDP): Orders are delivered DDP. All customs duties, import taxes, and fees are included — no additional charges on delivery.
🌍 Rest of world: Orders ship from China. Depending on your country, local customs authorities may apply import duties or taxes.
Get dedicated B2B pricing on this part and across our full catalog —
quote response within 24 hours, payment by T/T USD bank wire,
and DDP delivery available for US & EU customers (and other lanes on request).
Volume tiers
DDP for US & EU
T/T USD wire
24h response