ВЧ-транзистор SI7942DP-T1-GE3 — сдвоенный N-канальный МОП-транзистор
Не удалось загрузить сведения о доступности самовывоза
Have questions about this product? Our team is here to help — just reach out on WhatsApp.
💬 Contact Us on WhatsAppО товаре
Двойной N-канальный МОП-транзистор SI7942DP-T1-GE3 | 100 В 3,8 А для РЧ и высокочастотного переключения
SI7942DP-T1-GE3 — это оригинальный двойной N-канальный МОП-транзистор, разработанный для схем РЧ-усилителей, высокоскоростного переключения и управления питанием. Компактный корпус SO8 для поверхностного монтажа объединяет два канала с номинальным напряжением 100 В Vdss / 3,8 А постоянного тока (5,9 А импульсного) и сопротивлением 49 мОм RDS(on) при Vgs=10 В для низких потерь проводимости. Пороговое напряжение затвора логического уровня (Vgs(th) 2-4 В) делает его совместимым с низковольтными схемами управления.
Эта деталь является оптимальным выбором, когда в конструкции требуются два чистых, хорошо согласованных N-канальных переключателя в одном корпусе — синхронные полумосты, двухтактные каскады, драйверы двигателей и блоки управления РЧ-питанием. Работает в диапазоне температур от -55°C до +150°C, подходит для промышленного, автомобильного и бытового электронного оборудования.
Высокоскоростной МОП-транзистор SI7942DP-T1-GE3 — низкое сопротивление RDS(on) и логический уровень затвора
- Высокочастотная производительность — оптимизирован для РЧ-схем и коммутационных приложений до 100 В/3,8 А.
- Низкие потери мощности — 49 мОм RDS(on) снижает тепловыделение и повышает энергоэффективность.
- Логический уровень затвора — совместим с низковольтными схемами управления (Vgs(th) 2В-4В).
- Надежная конструкция — работает от -55°C до +150°C для надежности в различных условиях.
- Корпус SO8 для поверхностного монтажа — простая автоматическая сборка печатных плат в компактных макетах.
Типичные варианты использования SI7942DP
Двухканальный форм-фактор SO8 является распространенным выбором для синхронных понижающих преобразователей постоянного тока и полумостовых драйверов, где согласованные МОП-транзисторы в ограниченном тепловом пространстве обеспечивают чистые коммутационные формы сигналов на высоких частотах. SI7942DP также хорошо вписывается в блоки управления РЧ-питанием и выходные каскады усилителей аудиокласса, где низкий заряд затвора Qg (24 нКл) позволяет управлять потерями. Его рассеиваемая мощность 1,4 Вт устанавливает рабочий предел для конструкций с непрерывной работой.
Технические характеристики МОП-транзистора SI7942DP-T1-GE3
| Характеристика | Спецификация |
|---|---|
| Модель | SI7942DP-T1-GE3 |
| Тип | Двойной N-канальный МОП-транзистор |
| Напряжение (Vdss) | 100В |
| Ток (Id) | 3.8A (5.9A импульсный) |
| RDS(on) | 49мОм @ 10В |
| Заряд затвора (Qg) | 24нКл |
| Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2В-4В |
| Рассеиваемая мощность | 1.4Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный (SO8) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |
Сопутствующие товары
- IXFP4N85X 850В N-канальный МОП-транзистор (БП для майнинга)
- AONS32311 N-канальный силовой МОП-транзистор
- NTMFS5C430NL N-канальный силовой МОП-транзистор
- NCEP60T18 60В N-канальный МОП-транзистор
Нужен SI7942DP в лотках для серийного производства? Напишите на contact@lys-sz.com, чтобы узнать оптовые цены и сроки поставки. Доставка по всему миру с нашего склада в Шэньчжэне.
Buying in bulk for a mining farm or repair shop?
Get dedicated B2B pricing on this part and across our full catalog — quote response within 24 hours, payment by T/T USD bank wire, and DDP delivery available for US & EU customers (and other lanes on request).
