Повышение плотности мощности и эффективности с помощью высоковольтного MOSFET SRC60R230B
SRC60R230B — это высоковольтный N-канальный MOSFET , который включает в себя передовую технологию суперперехода, обеспечивающую превосходную плотность мощности и эффективность. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии, низкому заряду затвора и быстрому времени переключения этот MOSFET является идеальным выбором для приложений, требующих высокопроизводительного управления питанием .
Технология Super Junction для улучшенного управления питанием и производительностью
Одной из ключевых особенностей SRC60R230B является его внутренний быстровосстанавливающийся диод , который повышает производительность и эффективность в приложениях, требующих быстрого переключения. Этот MOSFET способен к быстрому переключению, что обеспечивает эффективную подачу питания и время отклика.
Технические характеристики MOSFET SRC60R230B:
Технические характеристики
Описание
Тип транзистора
N-канальный МОП-транзистор
Максимальная потребляемая мощность (Pd)
86,8 Вт
Максимальная температура перехода (Tj)
150 °С
Общий заряд затвора (Qg)
25,6 нКл
Время нарастания (tr)
20 нс
Емкость сток-исток (Cd)
86,4 пФ
Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(Рад)
(Рад)
0,23 Ом
📦 Shipping & Customs⌄
🇺🇸🇪🇺 USA & European Union (DDP): Orders are delivered DDP. All customs duties, import taxes, and fees are included — no additional charges on delivery.
🌍 Rest of world: Orders ship from China. Depending on your country, local customs authorities may apply import duties or taxes.
Get dedicated B2B pricing on this part and across our full catalog —
quote response within 24 hours, payment by T/T USD bank wire,
and DDP delivery available for US & EU customers (and other lanes on request).
Volume tiers
DDP for US & EU
T/T USD wire
24h response