Улучшение хранения данных с помощью TC58NVG0S3ETAI0 1Gbit NAND E2PROM
Улучшите свои возможности хранения данных с помощью электрически стираемой и программируемой постоянной памяти NAND TC58NVG0S3ETAI0 1 Гбит (NAND E2PROM). Эта цифровая интегральная схема обеспечивает энергонезависимое решение высокой плотности памяти, предлагая надежное и эффективное хранение данных для различных приложений.
Решение энергонезависимой памяти высокой плотности: TC58NVG0S3ETAI0 1 Гбит NAND E2PROM
TC58NVG0S3ETAI0 имеет один источник питания 3,3 В (Vcc = 2,7 В - 3,6 В) и емкость 1 Гбит (1 107 296 256 бит). Его универсальная функциональность поддерживает такие режимы, как чтение, сброс, автоматическое программирование страниц, автоматическое стирание блоков, чтение состояния, копирование страниц, многостраничное программирование, многоблочное стирание, многостраничное копирование и многостраничное чтение.
🇺🇸🇪🇺 USA & European Union (DDP): Orders are delivered DDP. All customs duties, import taxes, and fees are included — no additional charges on delivery.
🌍 Rest of world: Orders ship from China. Depending on your country, local customs authorities may apply import duties or taxes.
Get dedicated B2B pricing on this part and across our full catalog —
quote response within 24 hours, payment by T/T USD bank wire,
and DDP delivery available for US & EU customers (and other lanes on request).
Volume tiers
DDP for US & EU
T/T USD wire
24h response