TP65H035G4WS 650 В полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN) высокой производительности

TP65H035G4WS 650 В GaN FET — современный дизайн для высокой производительности

TP65H035G4WS — это передовой 650-вольтовый, 35-мОм GaN FET, который сочетает низковольтные кремниевые MOSFET с современными высоковольтными GaN HEMT, обеспечивая исключительную надежность и производительность. Используя передовые методы эпитаксии и запатентованные методы проектирования, это устройство упрощает технологичность и повышает эффективность кремния за счет снижения заряда затвора, выходной емкости, потерь на переходе и заряда обратного восстановления.

Основные характеристики, преимущества и области применения TP65H035G4WS

TP65H035G4WS соответствует требованиям JEDEC и оснащен динамическим производственным тестированием RDS(on)eff, гарантируя оптимальную производительность для требовательных приложений. Его прочная конструкция, оснащенная широким запасом безопасности двери и способностью выдерживать переходные перенапряжения, гарантирует, что он выдержит даже самые сложные условия.

Основные характеристики:

• Технология GaN, соответствующая JEDEC
• Динамическое испытание RDS(on)eff на производстве
• Прочная конструкция с широким запасом безопасности двери и способностью выдерживать переходные перенапряжения
• Улучшенная способность выдерживать импульсные токи
• Очень низкий QRR
• Уменьшение потерь при кроссовере

Преимущества:

• Поддерживает конструкцию AC-DC Bridgeless Totem-Pole PFC, увеличивая плотность мощности и уменьшая размер и вес системы
• Повышает эффективность схем жесткой и мягкой коммутации
• Легко управлять с помощью широко используемых драйверов ворот
• Расположение выводов GSD улучшает высокоскоростные конструкции

Приложения:

• Передача данных
• Широкий спектр отраслей
• Фотоэлектрические инверторы
• Серводвигатель