TP65H035G4WS 650 В полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN) высокой производительности

TP65H035G4WS 650 В GaN FET — высокопроизводительная коммутация для блоков питания для майнинга

TP65H035G4WS — это 650 В GaN FET на основе нитрида галлия, обеспечивающий 35 мОм Rds(on) с очень низким зарядом обратного восстановления (Qrr) и сниженными потерями при перекрестном переключении. Он объединяет низковольтный кремниевый MOSFET с высоковольтным GaN HEMT для обеспечения надежности, совместимой с JEDEC. Разводка выводов GSD оптимизирована для высокоскоростных схем, а динамическое Rds(on) проходит производственные испытания. Используется в топологиях блоков питания для майнинга следующего поколения, включая бесконтактные PFC-каскады с тотемным полюсом.

Почему GaN FET в блоках питания для майнинга

Транзисторы GaN переключаются быстрее и с меньшими потерями, чем кремниевые MOSFET, при эквивалентных номинальных напряжениях. Почти нулевой Qrr TP65H035G4WS устраняет потери обратного восстановления, которые характерны для кремниевых устройств в приложениях с жестким переключением и PFC с тотемным полюсом. Это обеспечивает более высокую плотность мощности, повышенную эффективность и сниженные требования к охлаждению — что крайне важно для блоков питания для майнинга следующего поколения, нацеленных на эффективность преобразования 96%+.

Процедура замены

Отключите сеть и разрядите все конденсаторы. Найдите GaN FET в PFC или первичном коммутационном каскаде. Отпаяйте, очистите контактные площадки, установите новый TP65H035G4WS с правильной ориентацией выводов GSD и оплавьте припой. Устройства GaN чувствительны к электростатическому разряду — обращайтесь с ними с соответствующим заземлением. Подайте питание через вариатор под прогрессивной нагрузкой и проверьте чистые формы сигналов переключения.

Технические характеристики GaN FET TP65H035G4WS

Сопутствующие высоковольтные коммутационные FET для ремонта блоков питания

• NCE65TF130D 650 В SuperJunction MOSFET – Ремонт блоков питания
• CRJF190N65GCF Power MOSFET – Ремонт блоков питания
• G1N65R035TB-N GaN FET – Нормально выключенный
• IPA60R360P7S MOSFET – Блок питания Avalon 1246

Модернизируете блоки питания для майнинга до технологии GaN? Свяжитесь с нами по адресу contact@lys-sz.com для получения GaN FET и коммутационных компонентов нового поколения.

Доставка по всему миру с нашего склада в Шэньчжэне.