WMJ53N65F2 Высококачественный 650 В N-канальный диодный переход MOSFET

WMJ53N65F2 - высококачественный 650 В N-канальный диодный переход MOSFET для силовой электроники

Повысьте производительность вашей силовой электроники с помощью WMJ53N65F2, высококачественного 650-вольтового N-канального диодного МОП-транзистора . Этот МОП-транзистор обеспечивает быструю коммутацию и надежную работу, что делает его отличным выбором для требовательных приложений питания. Благодаря корпусу TO-247 он обеспечивает знакомый формат, который легко интегрируется в существующие системы.

Модернизируйте свою силовую электронику с помощью MOSFET WMJ53N65F2

WMJ53N65F2 может похвастаться впечатляющими характеристиками , включая VDS (напряжение сток-исток) 650 В, что обеспечивает надежную работу в условиях высокого напряжения. С RDS(on) (сопротивлением в открытом состоянии) 0,078 Ом при VGS=10 В (макс.) он минимизирует потери мощности и повышает общую эффективность. ID (непрерывный ток стока) 50 А при TA=25 ℃ позволяет выдерживать значительные нагрузки, в то время как PD (рассеиваемая мощность) 350 Вт при TA=25 ℃ обеспечивает эффективное рассеивание тепла.

Быстрое переключение и надежная работа: WMJ53N65F2 650 В N-канальный диодный переход MOSFET