Tablero de control de CPU Whatsminer H3 del transistor de efecto de campo del Canal N FDV301N
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Mejore su placa de control Whatsminer H3 con el transistor de efecto de campo FDV301N
Mejore su placa de control Whatsminer H3 a nuevas alturas con el potente transistor de efecto de campo FDV301N . Diseñado con tecnología de vanguardia, este FET de alto rendimiento es el complemento perfecto para maximizar la eficiencia y el rendimiento de su placa de control .
Obtenga un rendimiento óptimo con el FET FDV301N de alto rendimiento
El FET FDV301N también ofrece una notable resistencia a las descargas electrostáticas, lo que protege su placa de control contra descargas electrostáticas. Su durabilidad y confiabilidad lo convierten en una opción ideal para aplicaciones exigentes. Actualice su placa de control Whatsminer H3 hoy y libere su verdadero potencial con el transistor de efecto de campo FDV301N.
Características principales del MOSFET FDV301N:
Características técnicas | Valor |
---|---|
Corriente continua | 0,22 A |
Corriente pico | 0,5 A |
RDS(ON) en VGS=2,7 V | 5Ω |
RDS(ON) en VGS=4,5 V | 4Ω |
Voltaje umbral de compuerta-fuente (VGS(th)) | < 1,5 V |
Robustez ESD | > 6kV (modelos del cuerpo humano) |


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