MOSFET de potencia de 600 V de canal N de alta eficiencia STW48N60DM2
No se pudo cargar la disponibilidad de retiro
Have questions about this product? Our team is here to help — just reach out on WhatsApp.
💬 Contact Us on WhatsAppAbout the Product
MOSFET de canal N STW48N60DM2: Libere potencia de alta eficiencia
Libere potencia de alta eficiencia en aplicaciones exigentes con el MOSFET de canal N STW48N60DM2 . Diseñado para un rendimiento óptimo, este MOSFET es la solución ideal para aplicaciones donde la eficiencia es primordial.
Actualice su sistema de energía con el MOSFET de canal N STW48N60DM2
Equipado con un diodo de cuerpo de recuperación rápida , el MOSFET STW48N60DM2 garantiza una carga y un tiempo de recuperación muy bajos, lo que permite un suministro de energía eficiente y confiable . Su baja resistencia de encendido lo hace ideal para topologías de puente y convertidores de desplazamiento de fase ZVS, maximizando la eficiencia de conversión de energía.
Características técnicas del STW48N60DM2:
| Característica | Valor |
|---|---|
| Diodo corporal | Recuperación rápida |
| Resistencia activada | Bajo |
| Cargo por entrada | Muy bajo |
| Capacitancia de entrada | Muy bajo |
| Prueba de avalanchas | 100% |
| Durabilidad dv/dt | Alto |
| Protección Zener | Sí |
Buying in bulk for a mining farm or repair shop?
Get dedicated B2B pricing on this part and across our full catalog — quote response within 24 hours, payment by T/T USD bank wire, and DDP delivery available for US & EU customers (and other lanes on request).
