0 Carrito$0.00 USD
  • TPW65R040M 650V N-Channel Super-Junction Power MOSFET for the Avalon 1346 power supply PSU3400-03
1 1

MOSFET de potencia de superjunción de canal N TPW65R040M 650V para reparación de fuente de alimentación Avalon PSU3400-03

$1.60 USD
$1.60 USD
Oferta Agotado
Los gastos de envío se calculan en la pantalla de pago.
Get Business Pricing

Detalles adicionales

Los gastos de envío se calcularán automáticamente durante el proceso de pago.

Comuníquese con nosotros a través del formulario de contacto para obtener más información y asistencia.
Secure checkout
SSL encryption & invoicing options
Worldwide shipping
Export-ready customs documentation
QC-tested spare parts
Specialized in ASIC miner hardware
Technical support
Assistance from mining engineers

Have questions about this product? Our team is here to help — just reach out on WhatsApp.

💬 Contact Us on WhatsApp

About the Product

Reparación del MOSFET de potencia de superunión de canal N TPW65R040M de 650 V para la fuente de alimentación Avalon PSU3400-03

El MOSFET de potencia de superunión de canal N de 650 V TPW65R040M es la pieza de repuesto ideal para la fuente de alimentación Avalon 1346 PSU3400-03 . Diseñado para restablecer el rendimiento normal, este MOSFET garantiza un funcionamiento confiable de la fuente de alimentación para su equipo Avalonminer. Con un voltaje de drenaje-fuente (Vdss) de 650 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 72 A, ofrece capacidades excepcionales de manejo de potencia.

MOSFET TPW65R040M avanzado para la restauración eficiente de la fuente de alimentación Avalon PSU3400-03

El TPW65R040M presenta una baja resistencia de entrada de drenaje (RDS(on)) y una alta disipación de potencia (Pd) de 500 W, lo que lo hace adecuado para aplicaciones exigentes. Su tipo de canal N y su amplio rango de temperatura de funcionamiento de -55 ℃ a +150 ℃ mejoran aún más su versatilidad. Repare su fuente de alimentación Avalon PSU3400-03 con el MOSFET TPW65R040M de alto rendimiento para un funcionamiento confiable y eficiente.

Características técnicas del MOSFET TPW65R040M:

Característica Especificación
Voltaje de la fuente de drenaje (Vdss) 650 V
Corriente de drenaje continua (Id) 72A
Fuente de drenaje en función de la resistencia (RDS) 35 mΩ a 10 V, 25 A
Disipación de potencia (Pd) 500 W
Voltaje de umbral de compuerta (Vgs(th)) 4,5 V a 250 uA
Capacitancia de transferencia inversa (Crss) 3,3 pF a 100 V
Tipo Canal N
Capacitancia de entrada (Ciss) 7,565 nF a 100 V
Cargo total de compuerta (Qg) 160 nC a 10 V
Temperatura de funcionamiento -55℃~+150℃@(Tj)

Nota para clientes internacionales:

Este producto se envía desde China. Tenga en cuenta que su pedido puede estar sujeto a impuestos de importación, aranceles aduaneros y tasas del país de destino una vez recibido el envío. Estos cargos son responsabilidad del cliente y no están incluidos en el precio del producto ni en los gastos de envío. No podemos predecir el importe de estas tasas, ya que varían según el país.

Ver todos los detalles

Publicaciones de blog

Ver todos los blogs

Contáctenos. Nos comunicaremos con usted en 24 horas.

Tienes preguntas?

Si desea obtener más información sobre nosotros y nuestros productos, ¡contáctenos!

Datos de contacto

LYS-SZ

+86 182 1872 0821

Síganos

Te podría gustar