Conmutación de alta velocidad y FET de canal N 2N7002NXAKR tCM con protección ESD

Actualice sus circuitos electrónicos con el transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N tCM 2N7002NXAKR de alto rendimiento. Este FET, empaquetado en un pequeño paquete de plástico de dispositivo de montaje en superficie (SMD) SOT23, está diseñado utilizando tecnología MOSFET de zanja para un rendimiento óptimo.

Paquete SOT23 pequeño | Tecnología MOSFET de trinchera | Aplicaciones versátiles

Con una corriente nominal máxima de 53 A y una tensión nominal de 600 V, este FET de canal N es adecuado para diversas aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Ofrece un rendimiento eficiente y confiable, lo que lo hace ideal para controladores de relés, controladores de línea de alta velocidad, interruptores de carga del lado bajo y circuitos de conmutación.

El FET tCM 2N7002NXAKR está equipado con protección ESD, lo que garantiza una mayor durabilidad y confiabilidad. Su pequeño paquete SOT23 permite una fácil integración en diseños electrónicos compactos al tiempo que ofrece un rendimiento excepcional.

Características técnicas: