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  • AO3423 ASFA ASTA P-Channel MOSFET for Whatsminer CB2 V8 Control Board
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MOSFET de modo de mejora de canal P AO3423 ASFA ASTA para placa de control Whatsminer CB2_V8

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MOSFET AO3423 de alto rendimiento para la placa de control Whatsminer H3

Repare su placa de control CB2 V8 de Whatsminer con el MOSFET de modo de mejora de canal P AO3423 ASFA ASTA para lograr la máxima eficiencia y rendimiento. Nuestro MOSFET utiliza tecnología de trinchera avanzada para brindar índices de resistencia increíbles, carga de compuerta baja y un voltaje de compuerta compatible de tan solo 2,5 V.

Tecnología avanzada de trincheras con carga de entrada baja

Perfecto para usar como interruptor de carga o aplicaciones PWM, la marcación por serigrafía AS** garantiza una fácil identificación y combinación con su placa de control.

Tabla de características técnicas AO3423 ASFA ASTA:

Característica Especificación
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (Óxido Metálico)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C 2A (Tercera Edad)
Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 2,5 V, 10 V
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs 92 mOhm a 2 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 1,4 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs 6,6 nC a 4,5 V
Vgs (máximo) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds 620 pF a 10 V
Disipación de potencia (máxima) 1,4 W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 150 °C (TJ)

Enlace de producto relacionado:

Placa de control CB2_V8 de Whatsminer

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