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MOSFET de modo de mejora de canal P AO3423 ASFA ASTA para placa de control Whatsminer CB2_V8

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MOSFET AO3423 de alto rendimiento para placa de control Whatsminer H3

Repare su placa de control Whatsminer CB2 V8 con el MOSFET de modo de mejora de canal P AO3423 ASFA ASTA para obtener la máxima eficiencia y rendimiento. Nuestro MOSFET utiliza tecnología de zanja avanzada para proporcionar tasas de resistencia increíbles, carga de puerta baja y un voltaje de puerta compatible tan bajo como solo 2,5 V.

Tecnología avanzada de zanjas con carga de compuerta baja

Perfecto para usar como interruptor de carga o aplicaciones PWM, el marcado de serigrafía AS** garantiza una fácil identificación y coincidencia con su tablero de control.


Tabla de Características Técnicas:

Característica Especificación
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C 2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 2,5 V, 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs 92 mOhmios a 2 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 1,4 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6,6 nC a 4,5 V.
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF a 10 V
Disipación de energía (máx.) 1,4 W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Enlace de producto relacionado:

Tablero de control Whatsminer CB2_V8

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