MOSFET de canal P AUIRF4905S | Transistor de potencia de grado automotriz de 55V 42A en D2PAK
El AUIRF4905S es un MOSFET de potencia de canal P de 55V en el encapsulado de montaje superficial D2PAK (TO-263), calificado para uso automotriz con capacidad de avalancha repetitiva y operación a 175°C. Los MOSFET de canal P son el interruptor de lado alto preferido para circuitos de administración de energía donde un único riel de suministro simplifica el diseño del controlador de puerta, común en controladores de motor, circuitos de protección de batería y bloques de protección de polaridad inversa.
Especificaciones destacadas: VDS 55V, ID 42A continuo (70A pulsado), RDS(on) 20mΩ a VGS = 10V, Qg 120nC típico, rango VGS de ±20V, disipación de potencia de 170W, operación a 175°C.
Cuando necesite el AUIRF4905S
Fallo del interruptor de lado alto en controladores de motor, administración de energía de vehículos eléctricos o distribución de CC.
Reparación del circuito de protección de la batería — elemento de paso de canal P fallido.
Bloque de protección de polaridad inversa necesita reemplazo después de un evento de polaridad incorrecta.
Daño visible en el encapsulado D2PAK — quemado o agrietado.
Especificaciones del AUIRF4905S
Parámetro
Especificación
Tipo
MOSFET de canal P
VDS (Voltaje Drenador-Fuente)
55V
ID (Corriente de Drenaje Continua)
42A
ID (Pulsada)
70A
RDS(on) @ VGS = 10V
20mΩ
Qg (Carga de puerta) típica
120nC
Rango VGS
±20V
Disipación de potencia
170W
Temperatura máxima de unión
175°C
Calificación
Grado automotriz
Encapsulado
D2PAK (TO-263 SMD)
Preguntas frecuentes — MOSFET AUIRF4905S
P: ¿Canal P vs. Canal N — ¿cuándo necesito cada uno? R: El canal P es para conmutación de lado alto (carga entre drenador y tierra, interruptor entre suministro y drenador) — simplifica el controlador de puerta cuando no hay un circuito de refuerzo disponible. El canal N es para conmutación de lado bajo con una unidad más simple, pero requiere un circuito de arranque para uso en lado alto. El AUIRF4905S es específicamente la variante de canal P.
P: ¿Cómo pruebo un MOSFET de canal P? R: Multímetro en modo de prueba de diodo. Sonda fuente-drenador: un canal P saludable muestra una caída de diodo de cuerpo de ~0.5V con el cable positivo en el drenador, OL con polaridad invertida. Cortocircuitado = ~0V en ambos sentidos; abierto = OL en ambos sentidos. Tenga en cuenta que la polaridad es opuesta a la prueba de canal N.
P: ¿Retrabajo de D2PAK? R: Reflujo SMD estándar a 250°C de pico con precalentamiento adecuado. La pestaña expuesta en el D2PAK debe volver a fluir con la almohadilla térmica de la PCB — aplique pasta de soldadura a la almohadilla térmica antes de colocar el dispositivo.
P: ¿Precios al por mayor? R: Sí — envíe un correo electrónico a contact@lys-sz.com para precios por cantidad de bandeja.
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