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MOSFET de potencia SGT-I de canal N NCEP60T18 de 60 V para reparación de fuente de alimentación de minero ASIC

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NCEP60T18 60V MOSFET de potencia de canal N | 180A SGT-I Super Trench para reparación de PSU de ASIC

El NCEP60T18 es un MOSFET de potencia de canal N de 60V de alta corriente construido con tecnología SGT-I Super Trench, diseñado para conmutación de alta frecuencia y etapas de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de mineros ASIC. Su RDS(on) ultrabajo junto con una baja carga de puerta minimiza tanto las pérdidas por conducción como por conmutación, la combinación adecuada para el servicio de alta corriente sostenida en las posiciones primarias o de rectificación síncrona de las PSU de minería.

Especificaciones destacadas: VDS 60V, ID 180A continuo, RDS(on) típico 2.8mΩ @ VGS = 10V (máx. <3.2mΩ), temperatura máxima de unión 150°C, 100% probado en UIS. La combinación de alta corriente nominal y baja resistencia de encendido proporciona un excelente margen térmico incluso bajo una minería continua a plena carga.

Cuándo reemplazar el NCEP60T18

  • Salida de la PSU muerta mientras hay entrada presente — MOSFET rectificador síncrono en cortocircuito abierto.
  • La PSU entra en modo hipo — MOSFET conduciendo parcialmente bajo condiciones de falla.
  • Daño visible — encapsulado quemado o agrietado en el disipador de calor.
  • El diodo-test del multímetro muestra drenaje-fuente en cortocircuito.

Especificaciones del NCEP60T18

Parámetro Especificación
Tipo MOSFET de potencia de canal N
Tecnología SGT-I Super Trench
VDS (Voltaje Drenaje-Fuente) 60V
ID (Corriente de Drenaje Continua) 180A
RDS(on) 2.8mΩ típico, <3.2mΩ máx. @ VGS = 10V
Temperatura Máxima de Unión 150°C
Prueba de avalancha 100% probado en UIS
Condición Nuevo, original

Preguntas frecuentes — MOSFET NCEP60T18

P: ¿Cómo confirmo que el MOSFET es la pieza defectuosa?
R: Apague y descargue los condensadores de la PSU. Multímetro en modo de prueba de diodos a través de drenaje-fuente: un MOSFET sano lee OL en un sentido, ~0.5V de caída de diodo corporal en el otro. En cortocircuito = ~0V en ambos sentidos; abierto = OL en ambos sentidos.

P: ¿Por qué esta pieza en lugar de un sustituto más barato?
R: Existen MOSFETs genéricos de 60V/180A, pero las especificaciones de RDS(on) o carga de puerta no coincidentes aumentan la pérdida de conmutación y la temperatura de funcionamiento de la PSU. El bajo FOM (RDS(on) × Qg) del NCEP60T18 mantiene intacto el diseño térmico original de la PSU.

P: ¿Perfil de retrabajo?
R: Depende del encapsulado — la mayoría de las variantes del NCEP60T18 se envían en TO-220, TO-263 (D2PAK) o DFN. Coincida exactamente con la huella original. Perfil de reflujo estándar, pico de ~250°C, flujo de aire controlado.

P: ¿Precios al por mayor?
R: Sí — envíe un correo electrónico a contact@lys-sz.com para precios por bandeja.

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