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  • The BL24C02F EEPROM is an essential component located on the Whatsminer M30 M50 hash board, providing reliable and efficient data storage capabilities.
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BL24C02F EEPROM para Whatsminer M30 M50 Hash Board Protección de datos mejorada de alta velocidad y baja potencia

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Maximice el almacenamiento y la protección de datos con la EEPROM BL24C02F

La EEPROM BL24C02F es un componente esencial ubicado en la placa hash de Whatsminer M30 M50 , que brinda capacidades de almacenamiento de datos confiables y eficientes. Con su capacidad de 2048 bits, organizada en 256 palabras de 8 bits cada una, esta EEPROM está optimizada para aplicaciones industriales y comerciales que exigen un bajo consumo de energía y un funcionamiento a bajo voltaje.

La EEPROM BL24C02F está diseñada para ser compatible con todos los protocolos de transferencia de datos bidireccionales I²C, lo que garantiza una integración perfecta en su sistema. Tiene un tamaño de página de 16 bytes, lo que permite una organización y recuperación de datos eficientes.

EEPROM serial de 2 Kbit de alta velocidad para placa hash Whatsminer M30

Repare su placa hash de Whatsminer M30 M50 con la EEPROM BL24C02F y disfrute de un almacenamiento de datos de alta velocidad, un bajo consumo de energía y una protección de datos mejorada. Esta EEPROM confiable y eficiente es una solución ideal para aplicaciones industriales y comerciales.

Características técnicas de la EEPROM BL24C02F:

Característica técnica Descripción
Capacidad de memoria 2 kbits (256 bytes)
Tamaño de página 16 bytes
Voltaje de suministro Tensión de alimentación única
Frecuencia máxima de funcionamiento 1 MHz
Modos de lectura Aleatorio y secuencial
Tiempos de escritura Escritura de bytes: 3 ms
La página escribe: en 3 ms
Permitir escrituras de páginas parciales
PIN DE PROTECCIÓN CONTRA ESCRITURA Protección de datos de hardware
Diseño de entrada Disparador Schmitt, entrada filtrada para rechazo de ruido
Resistencia 1 millón de ciclos de escritura
Retención de datos 100 años
Protección ESD/Latch-up (clasificación HBM) 6000 V

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