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  • Power module BSC0901NS OptiMOS 30V MOSFET
  • Widely used in Antminer, onboard charger, computer mainboard, DC-DC, VRD/VRM, motor control, and LED. Antminer S9 BSC0901NS OptiMOS 30V Power Management MOSFET
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Antminer S9 BSC0901NS OptiMOS 30V MOSFET de administración de energía: control de energía eficiente y confiable

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Optimice la administración de energía con BSC0901NS OptiMOS MOSFET


Actualice su sistema de administración de energía con el MOSFET de administración de energía OptiMOS 30V Antminer S9 BSC0901NS . Diseñados para un control de potencia eficaz, estos MOSFET ofrecen carga de puerta y salida ultrabaja, así como la resistencia de estado encendido más baja en paquetes pequeños. Con un comportamiento EMI especial para reducir la interferencia, estos MOSFET son ideales para una amplia gama de aplicaciones, incluidas placas hash de criptomineros Antminer , cargadores integrados, placas base de computadora, conversión CC-CC, VRD/VRM, control de motores y aplicaciones LED.

MOSFET de potencia de alto rendimiento para Antminer S9 y más

Los MOSFET OptiMOS BSC0901NS son FET de canal N con un voltaje de drenaje a fuente (Vdss) de 30 V , lo que los hace adecuados para diversos requisitos de administración de energía. Con una corriente de drenaje continua (Id) de 28 A (Ta) y 100 A (Tc), estos MOSFET brindan un rendimiento confiable en condiciones exigentes .

Con un tipo de paquete de montaje en superficie, los MOSFET BSC0901NS son fáciles de instalar y adecuados para diversas aplicaciones . Con un rango de temperatura de funcionamiento de -55 °C a 150 °C (TJ), estos MOSFET pueden soportar entornos hostiles y garantizar un funcionamiento confiable.

Características técnicas:

Categoría

Productos semiconductores discretos

Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete

Cinta y carrete (TR)

Estado de la pieza

Activo

Tipo FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (óxido metálico)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30 voltios

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

28A (Ta), 100A (Tc)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4,5 V, 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1,9 mOhmios a 30 A, 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2,2 V a 250 µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

44 nC a 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2800 pF a 15 V

Función FET

-

Disipación de energía (máx.)

2,5 W (Ta), 69 W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Paquete / Estuche

8-PoderTDFN

Número de producto básico

BSC0901

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