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MOSFET de alto rendimiento CJ3407 para aplicaciones de interruptor de carga y PWM

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Mejore la administración de energía con el MOSFET CJ3407


Actualice sus capacidades de administración de energía con el MOSFET CJ3407, un componente de alto rendimiento diseñado para aplicaciones PWM y conmutación de carga eficiente. Con tecnología de zanja avanzada, este MOSFET ofrece RDS (encendido) optimizado y carga de puerta baja, lo que garantiza un control confiable y preciso en varios circuitos.

RDS optimizado (encendido) y carga de puerta baja para conmutación de carga confiable y control PWM

El CJ3407 está alojado en un paquete compacto S0T-23, lo que lo hace ideal para diseños con espacio limitado donde la eficiencia y la confiabilidad son primordiales. Ya sea que esté trabajando en dispositivos portátiles, sistemas alimentados por baterías u otras aplicaciones sensibles a la energía, el CJ3407 es la elección perfecta.

Con un voltaje máximo de fuente de drenaje (VDS) de -30 V y un voltaje máximo de fuente de compuerta (VGS) de ±20 V, el CJ3407 proporciona versatilidad para adaptarse a diferentes requisitos de voltaje. Su corriente de fuga continua (ID) máxima de -4,1 A garantiza un rendimiento de fuga bajo para una mayor eficiencia.

Características técnicas:

Característica Especificación
Voltaje máximo de drenaje-fuente (VDS) -30V
Voltaje máximo puerta-fuente (VGS) ±20V
Corriente de fuga continua máxima (ID) -4,1 A
Disipación de potencia máxima (PD) 350 megavatios
Temperatura máxima de unión (TJ) 150°C
Resistencia a la fuente de drenaje @(VGS=-10V, ID=-4.1A): 60 mΩ
@(VGS = -4,5 V, ID = -3 A): 87 mΩ
Paquete S0T-23
Marca de serigrafía 3407


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