Mejore sus capacidades de administración de energía con el MOSFET CJ3407, un componente de alto rendimiento diseñado para aplicaciones PWM y conmutación de carga eficientes. Con tecnología de trinchera avanzada, este MOSFET ofrece RDS(on) optimizado y carga de compuerta baja, lo que garantiza un control confiable y preciso en varios circuitos.
RDS(on) optimizado y carga de compuerta baja para conmutación de carga confiable y control PWM
El CJ3407 está alojado en un encapsulado S0T-23 compacto, lo que lo hace ideal para diseños con limitaciones de espacio donde la eficiencia y la confiabilidad son primordiales. Ya sea que trabaje con dispositivos portátiles, sistemas alimentados por batería u otras aplicaciones sensibles a la energía, el CJ3407 es la opción perfecta.
Características técnicas del CJ3407:
Característica
Especificación
Voltaje máximo de drenaje-fuente (VDS)
-30 V
Voltaje máximo de compuerta-fuente (VGS)
±20 V
Corriente de fuga continua máxima (ID)
-4,1 A
Disipación máxima de potencia (PD)
350mW
Temperatura máxima de unión (TJ)
150°C
Resistencia de encendido de la fuente de drenaje
@(VGS=-10 V, ID=-4,1 A): 60 mΩ
@(VGS = -4,5 V, ID = -3 A): 87 mΩ
Paquete
S0T-23
Marca de serigrafía
3407
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