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About the Product
MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13 de alta calidad para criptomineros Antminer S11, S15, T15
Mejore el rendimiento de sus criptomineros de las series Antminer S11, S15 y T15 con el MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13 de alta calidad de LYS-SZ. Diseñado específicamente para aplicaciones de criptominería, este MOSFET ofrece una administración de energía excepcional, minimizando el RDS (ON) y brindando un excelente rendimiento de conmutación.
MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13 eficiente y confiable para aplicaciones de criptominería
El MOSFET DMP34M4SPS-13 presenta un voltaje de drenaje a fuente (Vdss) de 30 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 34 A a 25 °C (Ta), lo que lo hace ideal para manejar los exigentes requisitos de energía de los equipos de criptominería. Sus requisitos de voltaje de accionamiento bajo y Rds On máximo de 4,8 mOhm a 17 A, 10 V garantizan un flujo de energía eficiente y pérdidas de energía reducidas.
Optimice la administración de energía en Antminer S11, S15, T15 con MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13
Con una carga de puerta (Qg) de 115 nC a 10 V, el DMP34M4SPS-13 permite un rendimiento de conmutación rápido y con capacidad de respuesta , esencial para operaciones mineras optimizadas. Su Vgs máximo de +20 V y -25 V garantiza la compatibilidad con varias especificaciones de voltaje.
El MOSFET DMP34M4SPS-13 está diseñado para soportar entornos exigentes , con una temperatura de funcionamiento de 150°C (TJ). Su paquete 8-PowerVDFN de montaje en superficie garantiza una fácil integración en su equipo Antminer .
Actualice su sistema de administración de energía para criptominería con el MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13 confiable y de alto rendimiento. Experimente un flujo de energía eficiente, pérdidas de energía reducidas y un rendimiento optimizado en sus criptomineros de las series Antminer S11, S15 y T15.
Características técnicas:
Categoría
Productos semiconductores discretos
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Serie
U-MOSVI
Paquete
Cinta y carrete (TR)
Estado de la pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido metálico)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30 voltios
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
34A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
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