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DMP34M4SPS TPCA8128 MOSFET P-Channel 30V 34A 8SOP Hashboard reemplazo IC Antminer S11 S15 T15

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MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13 de alta calidad para mineros de criptomonedas Antminer S11, S15 y T15

Mejore el rendimiento de sus criptomineros de las series Antminer S11, S15 y T15 con el MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13 de alta calidad de LYS-SZ. Diseñado específicamente para aplicaciones de criptominería, este MOSFET ofrece una gestión de energía excepcional, minimizando el RDS(ON) y brindando un excelente rendimiento de conmutación.

MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13 eficiente y confiable para aplicaciones de criptominería

El MOSFET DMP34M4SPS-13 tiene un voltaje de drenaje a fuente (Vdss) de 30 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 34 A a 25 °C (Ta), lo que lo hace ideal para manejar los exigentes requisitos de energía de los equipos de criptominería. Sus bajos requisitos de voltaje de excitación y un Rds On máximo de 4,8 mOhm a 17 A, 10 V garantizan un flujo de energía eficiente y pérdidas de energía reducidas.

Optimice la gestión de energía en Antminer S11, S15, T15 con el MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13

Con una carga de compuerta (Qg) de 115 nC a 10 V, el DMP34M4SPS-13 permite un rendimiento de conmutación rápido y con capacidad de respuesta , esencial para operaciones mineras optimizadas. Su Vgs máximo de +20 V y -25 V garantiza la compatibilidad con varias especificaciones de voltaje.

El MOSFET DMP34M4SPS-13 está diseñado para soportar entornos exigentes , con una temperatura de funcionamiento de 150 °C (TJ). Su encapsulado 8-PowerVDFN de montaje en superficie garantiza una fácil integración en su equipo Antminer .

Características técnicas del modelo DMP34M4SPS:

Categoría

Productos semiconductores discretos

Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Serie

U-MOSVI

Paquete

Cinta y carrete (TR)

Estado de la pieza

Obsoleto

Tipo FET

Canal P

Tecnología

MOSFET (Óxido Metálico)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 voltios

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C

34A (T)

Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado)

4,5 V, 10 V

Rds activado (máximo) @ Id, Vgs

4,8 mOhm a 17 A, 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id

2 V a 500 µA

Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs

115 nC a 10 V

Vgs (máximo)

+20 V, -25 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds

4800 pF a 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máxima)

1,6 W (Ta), 45 W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

150 °C (TJ)

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Paquete / Caja

8-PowerVDFN

Número de producto base

TLP731

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Datos de contacto

LYS-SZ

+86 182 1872 0821