Reemplazo confiable de MOSFET de canal N FHP120N08D

Mejore el rendimiento y la confiabilidad con el MOSFET de canal N FHP120N08D

Presentamos el FHP120N08D, un transistor de efecto de campo (MOSFET) de canal N reconocido por su confiabilidad y rendimiento. Este MOSFET, con tecnología TO-220, se utiliza comúnmente para reemplazar componentes defectuosos, lo que garantiza un funcionamiento perfecto en diversas aplicaciones.

Alta disipación de potencia y baja resistencia en estado encendido para el reemplazo de componentes defectuosos

El FHP120N08D ofrece especificaciones impresionantes para mejorar el rendimiento y la confiabilidad. Con una disipación de potencia máxima (Pd) de 230 W, puede manejar aplicaciones de alta potencia con facilidad. El voltaje máximo de drenaje-fuente (|Vds|) de 80 V y el voltaje de compuerta-fuente (|Vgs|) de 25 V brindan un amplio margen para los requisitos de voltaje.

FHP120N08D Características técnicas:

• Disipación máxima de potencia (Pd): 230 W
• Voltaje máximo de drenaje-fuente (|Vds|): 80 V
• Voltaje máximo de compuerta-fuente (|Vgs|): 25 V
• Tensión máxima de umbral de compuerta (|Vgs(th)|): 4 V
• Corriente máxima de drenaje (|Id|): 120 A
• Carga total de la compuerta (Qg): 60 nC
• Tiempo de subida (tr): 40 nS
• Capacitancia de drenaje-fuente (Cd): 500 pF
• Resistencia máxima de drenaje-fuente en estado activo (Rds): 0,008 ohmios
• Paquete: TO-220