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Paquete del transistor 600V 75A TO-247 de la reparación de Cryptominer de IKW75N60T K75T60

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Transistor IKW75N60T K75T60 - Paquete 600V 75A TO-247


El IKW75N60T, también conocido como K75T60 , es un potente transistor comúnmente utilizado en convertidores de frecuencia y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. Con sus impresionantes especificaciones y características, este transistor ofrece un rendimiento y confiabilidad excepcionales.

Transistor IKW75N60T K75T60 de alto rendimiento para convertidores de frecuencia y aplicaciones de fuente de alimentación

Con un VCE(sat) muy bajo de 1,5 V (típico), el IKW75N60T garantiza una transferencia de energía eficiente y pérdidas de energía reducidas. Con una temperatura de unión máxima de 175 °C, exhibe una excelente estabilidad térmica, lo que permite un funcionamiento confiable incluso en condiciones exigentes . Su tiempo de resistencia a cortocircuitos de 5 μs proporciona protección adicional contra fallas eléctricas.

Transistor confiable y eficiente de 600 V 75 A en paquete TO-247

El coeficiente de temperatura positivo del transistor en VCE(sat) garantiza un rendimiento estable y consistente en una amplia gama de temperaturas de funcionamiento. Con una distribución de parámetros muy ajustada, garantiza un funcionamiento preciso y fiable en diversas aplicaciones. La alta durabilidad y el rendimiento con temperatura estable lo convierten en una opción confiable para entornos exigentes.

El transistor IKW75N60T ofrece una velocidad de conmutación muy alta , lo que permite operaciones de conmutación rápidas y eficientes. Sus características de baja EMI (interferencia electromagnética) garantizan una interferencia mínima con otros componentes electrónicos. La inclusión de diodos HE controlados por emisores antiparalelos de recuperación rápida y muy suaves mejora aún más su rendimiento y confiabilidad.

Características técnicas:

Característica Detalles
Tipo de transistor IKW75N60T (K75T60)
Paquete A-247
Voltaje 600V
Valoración actual 75A
VCE(sábado) Muy bajo: 1,5 V (típico)
Temperatura máxima de unión 175ºC
Tiempo de resistencia al cortocircuito 5 μs
Distribución de parámetros Muy ajustado
Velocidad de conmutación Muy alto
EMI Bajo
Diodos Diodos HE controlados por emisores antiparalelos de recuperación rápida y muy suaves
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