Reemplazo del MOSFET del canal N del transistor de potencia IPP034NE7N 75V 100A
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Transistor de potencia IPP034NE7N de alta calidad para reemplazo de componentes defectuosos
Reemplace los componentes defectuosos con el confiable transistor de potencia IPP034NE7N . Este MOSFET de canal N está diseñado para manejar altos voltajes y corrientes, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones, incluidas la conmutación de alta frecuencia y los convertidores CC/CC .
Características y especificaciones del transistor de potencia IPP034NE7N
El transistor de potencia IPP034NE7N cuenta con tecnología de optimización de rectificación sincrónica, lo que mejora la eficiencia. Su excelente producto de carga de compuerta xRpS(on) (FOM) mejora aún más el rendimiento de conmutación. Este transistor está 100 % probado contra avalanchas, lo que garantiza su robustez y confiabilidad.
Especificaciones técnicas del modelo IPP034NE7N
| Especificaciones técnicas | |
|---|---|
| Categoría de producto | MOSFET |
| Tecnología | Si |
| Estilo de montaje | A través del agujero |
| Paquete / Caja | TO-220-3 |
| Polaridad del transistor | Canal N |
| Número de canales | 1 canal |
| Vds - Tensión de ruptura de drenaje-fuente | 75 voltios |
| Id - Corriente de drenaje continua | 100 A |
| Rds On - Resistencia de drenaje-fuente | 3,4 mOhmios |
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