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Reemplazo del MOSFET del canal N del transistor de potencia IPP034NE7N 75V 100A

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Transistor de potencia IPP034NE7N de alta calidad para reemplazo de componentes defectuosos


Reemplace los componentes defectuosos con el confiable transistor de potencia IPP034NE7N . Este MOSFET de canal N está diseñado para manejar altos voltajes y corrientes, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones que incluyen conmutación de alta frecuencia y convertidores CC/CC .

Con un voltaje de ruptura de fuente de lluvia de 75 V y una clasificación de corriente de drenaje continuo de 100 A, el IPP034NE7N garantiza una transferencia de energía eficiente y confiabilidad. Su baja resistencia de encendido (RDS(on)) de 3,4 mOhms minimiza las pérdidas de energía y mejora el rendimiento general del sistema.

Características y especificaciones del transistor de potencia IPP034NE7N

El transistor de potencia IPP034NE7N presenta tecnología de optimización de rectificación síncrona, lo que resulta en una eficiencia mejorada. Su excelente producto xRpS(on) (FOM) de carga de puerta mejora aún más el rendimiento de conmutación. Este transistor está 100% probado contra avalanchas, lo que garantiza su robustez y fiabilidad.

El paquete TO-220 ofrece un cómodo montaje a través de orificios y es conocido por su durabilidad. Tenga la seguridad de que el IPP034NE7N es un componente nuevo y original. Cumple con los estándares JEDEC, está chapado sin plomo y cumple con RoHS.

Actualice su sistema con el transistor de potencia IPP034NE7N y experimente un rendimiento y compatibilidad confiables. ¡No lo dudes, compra ahora!

Especificaciones técnicas

Especificaciones técnicas
categoria de producto MOSFET
Tecnología Si
Estilo de montaje A través del orificio
Paquete / Estuche A-220-3
Polaridad del transistor Canal N
número de canales 1 canal
Vds - Voltaje de ruptura drenaje-fuente 75 voltios
Id - Corriente de drenaje continua 100 A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente 3,4 mOhmios



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