MOSFET de alta confiabilidad para una amplia gama de aplicaciones: IPW60R060P7 Canal N 600 V 48 A TO247-3

Experimente una alta confiabilidad con el IPW60R060P7, un MOSFET de canal N diseñado para una amplia gama de aplicaciones. Este MOSFET, que forma parte de la serie CoolMOS™ P7 de Infineon Technologies, presenta un voltaje de drenaje a fuente de 600 V y una corriente de drenaje continua de 48 A a 25 °C. El voltaje del accionamiento de la puerta es de 10 V para Rds On máximo y el Rds On máximo es de 60 mOhm a 15,9 A y 10 V. Con un Vgs(th) de 4 V a 800 µA, este MOSFET ofrece un rendimiento confiable.

Rendimiento confiable con Rds máximo encendido y baja capacitancia de entrada: MOSFET IPW60R060P7 de Infineon Technologies CoolMOS™ serie P7

La carga de la puerta (Qg) es de 67 nC a 10 V y la capacitancia de entrada (Ciss) es de 2895 pF a 400 V. El IPW60R060P7 tiene una disipación de potencia máxima de 164 W en Tc y funciona a temperaturas que oscilan entre -55 °C y 150 °C. Viene en un paquete TO-247-3 y está diseñado para montaje a través de orificios.

Características del producto:

• Categoría: Productos semiconductores discretos, Transistores, FET, MOSFET, FET individuales, MOSFET
• Serie: CoolMOS™ P7
• Paquete: Tubo FET
• Tipo: Canal N-
• Tecnología: MOSFET (Óxido Metálico)
• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
• Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 48 A
• (Tc) Voltaje de accionamiento (Máx. Rds activado, Min Rds activado): 10 V
• Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 15,9 A, 10 V
• Vgs(th) (Máx.) a Id: 4 V a 800 µA
• Carga de puerta (Qg) (máx.) a Vgs: 67 nC a 10 V
• Vgs (máx.): ±20 V
• Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds: 2895 pF a 400 V
• Disipación de potencia (máx.): 164 W (Tc)
• Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Tipo de montaje: Orificio pasante
• Paquete/Caja: TO-247-3
• Número de producto básico: IPW60R060