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IXFH48N60X3 600V Clase X3 Super Junction MOSFET Alta eficiencia y rendimiento robusto

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Actualice su fuente de alimentación Avalon con MOSFET IXFH48N60X3 600V

Presentamos el MOSFET Super Junction IXFH48N60X3 600V Clase X3, un componente de alto rendimiento comúnmente utilizado en las fuentes de alimentación Avalon. Este MOSFET de potencia ofrece una eficiencia excepcional y un rendimiento robusto, lo que lo convierte en una opción ideal para diversas aplicaciones.

Logre una alta eficiencia y un rendimiento confiable con el MOSFET IXFH48N60X3

El MOSFET IXFH48N60X3 presenta una clasificación de corriente nominal de 48 A y viene en un encapsulado TO-247. Su diseño avanzado reduce significativamente la resistencia del canal (RDS(on)) y la carga de la puerta (Qg), lo que resulta en una eficiencia energética mejorada. Con la figura de mérito (FOM) más baja para RDS(on)xQg y RDS(on)xRthJC, este MOSFET permite un diseño térmico superior y una eficiencia general mejorada.

Una de las características clave del MOSFET IXFH48N60X3 es su baja carga de recuperación inversa (QRM) y su corto tiempo de recuperación inversa (trr), gracias a su diodo corporal. Esta característica garantiza un funcionamiento eficiente y receptivo.

Con un voltaje de fuente de drenaje de 600 V y una resistencia máxima de 0,065 ohmios, el MOSFET IXFH48N60X3 ofrece alta densidad de potencia y bajas pérdidas estáticas. Su baja demanda de energía del accionamiento de puerta simplifica el diseño del sistema y reduce los requisitos de energía.

Las aplicaciones para el MOSFET IXFH48N60X3 incluyen fuentes de alimentación en modo conmutado y en modo resonante, convertidores CC-CC, circuitos PFC, controladores de motores de CA y CC y, específicamente, fuentes de alimentación Avalon. Su rendimiento es particularmente adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.

Actualice su fuente de alimentación y experimente alta eficiencia, robustez contra sobretensión y diseño térmico simplificado con el MOSFET Super Junction IXFH48N60X3 600V Clase X3.

Características técnicas:

Característica Descripción
RDS bajo (ENCENDIDO) y QG Mejora de la eficiencia energética y reducción de pérdidas.
Inductancia de paquete baja Rendimiento mejorado y ruido electromagnético reducido
Alta densidad de potencia Diseño compacto con capacidades de alta potencia.
Fácil de instalar Cómodo proceso de instalación
Ahorro de espacio Utiliza eficientemente el espacio en su sistema
Bajas pérdidas estáticas Minimiza la pérdida de energía durante la operación.
Diseño térmico simplificado Optimiza la gestión térmica para mejorar la eficiencia.
Alta robustez contra OV Proporciona protección contra condiciones de sobretensión.
Baja demanda de energía del accionamiento de puerta Reduce los requisitos de energía para accionar la puerta.



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