MOSFET de repuesto MOS de canal N de alta calidad K31N60W
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Experimente un rendimiento y una confiabilidad mejorados con el MOS de canal N K31N60W
Presentamos el K31N60W, un componente MOS de canal N completamente nuevo y original conocido por su calidad garantizada y rendimiento excepcional. Este MOS se utiliza ampliamente como reemplazo confiable de componentes defectuosos, lo que garantiza un funcionamiento ininterrumpido en diversas aplicaciones.
Conmutación de compuerta eficiente y baja resistencia de entrada de drenaje para aplicaciones de reguladores de voltaje
El K31N60W presenta una baja resistencia de encendido de drenaje-fuente, con RDs(ON) de 0,073 Ω (típico), posible gracias a su estructura de superunión avanzada que utiliza tecnología DTMOS. Esto da como resultado una mayor eficiencia y una menor disipación de potencia.
Características técnicas del K31N60W:
- Baja resistencia de encendido de fuente de drenaje (RDs(ON)): 0,073 Ω (típ.)
- Estructura de superunión (DTMOS) para un mejor rendimiento
- Conmutación de puerta fácil de controlar
- Operación en modo de mejora con un voltaje umbral (Vth) de 2,7 V a 3,7 V (VDs=10 V, ID=1,5 mA)
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