MOSFET de repuesto MOS de canal N de alta calidad K31N60W

Experimente un rendimiento y una confiabilidad mejorados con el MOS de canal N K31N60W

Presentamos el K31N60W, un componente MOS de canal N completamente nuevo y original conocido por su calidad garantizada y rendimiento excepcional. Este MOS se utiliza ampliamente como reemplazo confiable de componentes defectuosos, lo que garantiza un funcionamiento ininterrumpido en diversas aplicaciones.

Conmutación de compuerta eficiente y baja resistencia de entrada de drenaje para aplicaciones de reguladores de voltaje

El K31N60W presenta una baja resistencia de encendido de drenaje-fuente, con RDs(ON) de 0,073 Ω (típico), posible gracias a su estructura de superunión avanzada que utiliza tecnología DTMOS. Esto da como resultado una mayor eficiencia y una menor disipación de potencia.

Características técnicas del K31N60W:

• Baja resistencia de encendido de fuente de drenaje (RDs(ON)): 0,073 Ω (típ.)
• Estructura de superunión (DTMOS) para un mejor rendimiento
• Conmutación de puerta fácil de controlar
• Operación en modo de mejora con un voltaje umbral (Vth) de 2,7 V a 3,7 V (VDs=10 V, ID=1,5 mA)