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K39N60W5 TK39N60W5 TK39N60W MOSFET de potencia TO-247 N-channel 38.8A 600V unidad de fuente de alimentación de chip de repuesto Bitmain APW3 APW8

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MOSFET K39N60W5 TK39N60W5 de alto rendimiento: ideal para fuentes de alimentación Bitmain

El MOSFET K39N60W5 TK39N60W5 es un MOSFET de canal N de silicio de alta calidad diseñado para aplicaciones de suministro de energía Bitmain. Con una tensión nominal de 600 V y una corriente nominal de 39 A, este MOSFET está especialmente diseñado para ofrecer un rendimiento de energía eficiente.

Mejore el rendimiento de la fuente de alimentación con el MOSFET K39N60W5 TK39N60W5

Este MOSFET, que cuenta con una baja resistencia de entrada de drenaje-fuente y una estructura de superunión denominada DTMOS, garantiza una pérdida de potencia mínima y capacidades de conmutación óptimas. Su modo de mejora permite un control de compuerta sencillo, con un rango de voltaje de compuerta-fuente de ±30 V y un voltaje de umbral de 2,7 a 3,7 V.

Características técnicas del MOSFET K39N60W5:

Voltaje de drenaje-fuente
VDSS
600
V
Voltaje de compuerta-fuente
VGSS
±30
V
Corriente de drenaje (CC)
IDENTIFICACIÓN
38.8
A
Corriente de drenaje (pulsada)
desplazado interno
155
A
Disipación de potencia
PD
270
Yo
Energía de avalancha de pulso único
EAS
608
mj
Corriente de avalancha
IAR
9.7
A
Corriente de drenaje inversa (CC)
IDR
38.8
A
Corriente de drenaje inversa (pulsada)
IDRP
155
A
Temperatura del canal
Tch
150
do
Temperatura de almacenamiento
Prueba
-55 a 150
do
Par de montaje
COLINA
0,8
Número de metros

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