K39N60W5 TK39N60W5 TK39N60W MOSFET de potencia TO-247 N-channel 38.8A 600V unidad de fuente de alimentación de chip de repuesto Bitmain APW3 APW8
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MOSFET K39N60W5 TK39N60W5 de alto rendimiento: ideal para fuentes de alimentación Bitmain
El MOSFET K39N60W5 TK39N60W5 es un MOSFET de canal N de silicio de alta calidad diseñado para aplicaciones de suministro de energía Bitmain. Con una tensión nominal de 600 V y una corriente nominal de 39 A, este MOSFET está especialmente diseñado para ofrecer un rendimiento de energía eficiente.
Mejore el rendimiento de la fuente de alimentación con el MOSFET K39N60W5 TK39N60W5
Este MOSFET, que cuenta con una baja resistencia de entrada de drenaje-fuente y una estructura de superunión denominada DTMOS, garantiza una pérdida de potencia mínima y capacidades de conmutación óptimas. Su modo de mejora permite un control de compuerta sencillo, con un rango de voltaje de compuerta-fuente de ±30 V y un voltaje de umbral de 2,7 a 3,7 V.
Características técnicas del MOSFET K39N60W5:
|
Voltaje de drenaje-fuente
|
VDSS
|
600
|
V
|
|
Voltaje de compuerta-fuente
|
VGSS
|
±30
|
V
|
|
Corriente de drenaje (CC)
|
IDENTIFICACIÓN
|
38.8
|
A
|
|
Corriente de drenaje (pulsada)
|
desplazado interno
|
155
|
A
|
|
Disipación de potencia
|
PD
|
270
|
Yo
|
|
Energía de avalancha de pulso único
|
EAS
|
608
|
mj
|
|
Corriente de avalancha
|
IAR
|
9.7
|
A
|
|
Corriente de drenaje inversa (CC)
|
IDR
|
38.8
|
A
|
|
Corriente de drenaje inversa (pulsada)
|
IDRP
|
155
|
A
|
|
Temperatura del canal
|
Tch
|
150
|
do
|
|
Temperatura de almacenamiento
|
Prueba
|
-55 a 150
|
do
|
|
Par de montaje
|
COLINA
|
0,8
|
Número de metros
|
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