Tablero de control de Whatsminer CB4-V10 del chip de memoria DDR3 de K4B2G1646F-BCNB
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Aumente el rendimiento de su dispositivo con el chip de memoria DDR3 K4B2G1646F-BCNB
Mejore el rendimiento de su dispositivo y experimente velocidades ultrarrápidas con el chip de memoria DDR3 K4B2G1646F-BCNB . Este chip de alta calidad, ubicado en la placa de control CB4-V10 de Whatsminer , está diseñado para brindar un rendimiento, estabilidad y compatibilidad excepcionales.
Libere velocidades ultrarrápidas y estabilidad garantizada para su controlador Whatsminer
El chip de memoria DDR3 K4B2G1646F-BCNB ofrece una densidad de chip de 2G y una organización de 128Mx16, lo que proporciona una amplia capacidad de memoria y un almacenamiento de datos eficiente. Con sus 8 bancos internos, cada uno con capacidad para 16M de palabras, y un ancho de bus de datos de 16 bits, este chip garantiza un acceso rápido y sin problemas a los datos, lo que mejora el rendimiento del dispositivo.
Características del chip de memoria DDR3 K4B2G1646F-BCNB:
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Tipo de chip de memoria | Memoria SDRAM DDR3 |
| Densidad de viruta | 2G |
| Organización | 128Mx16 |
| Bancos internos | 8 |
| Palabras por banco | 16 millones |
| Bits por palabra | 16 |
| Ancho del bus de datos | 16 bits |
| Frecuencia máxima de reloj | 2133 MHz |
| Tiempo máximo de acceso | 0,18 ns |
| Ancho del bus de direcciones | 17 bits |
| Tipo de interfaz | SSTL_1.5 |
| Rango de voltaje de funcionamiento | 1,425 - 1,575 V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0-95 °C |
| Cumplimiento de RoHS | Sí |
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