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  • LBAT54HT1G JV Schottky Barrier Diode. Designed for optimal performance and efficiency
  • High-Performance LBAT54HT1G JV Schottky Barrier Diode for Efficient Circuitry
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Paquete de diodo de barrera Schottky SOD-323 de LBAT54HT1G JV

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Diodo de barrera Schottky LBAT54HT1G JV de alto rendimiento para circuitos eficientes

Actualice sus circuitos electrónicos con el diodo de barrera Schottky LBAT54HT1G JV. Diseñado para un rendimiento y una eficiencia óptimos, este diodo presenta un voltaje directo extremadamente bajo de 0,4 V, lo que reduce significativamente la pérdida de conducción. Su encapsulado SOD-323 en miniatura lo hace ideal para aplicaciones con limitaciones de espacio, como dispositivos portátiles y de mano.

Paquete SOD-323 en miniatura | Voltaje directo extremadamente bajo | Calidad original y auténtica

El diodo LBAT54HT1G JV garantiza autenticidad y una calidad excepcional, lo que le proporciona un rendimiento confiable. Con una corriente de fuga inversa (Ir) de solo 2 uA y una tensión inversa (Vr) nominal de 30 V, este diodo garantiza un funcionamiento confiable y eficiente en varios diseños de circuitos.

Características técnicas del LBAT54HT1G:

Característica técnica Especificación
Corriente de fuga inversa 2uA
Voltaje inverso 30 V
Voltaje directo (Vf@If) 0,4 V
Corriente rectificada media 0,2 V


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