Presentamos el MOSFET de potencia de canal N LSB65R041GF: ¡llevando la potencia al siguiente nivel!

Si está buscando un MOSFET de potencia que lleve la densidad de potencia y la eficiencia al siguiente nivel, necesita el LSB65R041GF. Este MOSFET de tecnología avanzada de súper unión cuenta con una resistencia increíblemente baja, de solo 0,041 Ω. Esto lo convierte en la elección perfecta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia y eficiencia excepcionales .

Las características clave del MOSFET de potencia LSB65R041GF de canal N de 650 V, 78 A y 0,041 Ω

Con el MOSFET de potencia de canal N LSB65R041GF , podrá obtener más rendimiento de sus aplicaciones y lograr excelentes resultados con facilidad. Si desea llevar sus capacidades de manejo de potencia al siguiente nivel, ¡no hay mejor opción que el LSB65R041GF!

Parametros del producto:

• Designador de tipo: LSB65R041GF
• Tipo de transistor: MOSFET
• Tipo de canal de control: canal N
• Disipación de potencia máxima (Pd): 500 W
• Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 650 V
• Tensión máxima puerta-fuente |Vgs|: 30 V
• Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 4 V
• Corriente máxima de drenaje |Id|: 78 A
• Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
• Carga total de puerta (Qg): 110 nC
• Tiempo de subida (tr): 52 nS
• Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 4800 pF
• Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje (Rds): 0,041 ohmios
• Paquete: TO-247