HTS

8541.29.00.95

categoria de producto

MOSFET de potencia

Configuración

Soltero

Proceso tecnológico

TMOS

Modo de canal

Mejora

Tipo de canal

PAG

Número de elementos por chip

1

Voltaje máximo de fuente de drenaje (V)

30

Voltaje máximo de fuente de puerta (V)

±25

Voltaje umbral máximo de puerta (V)

3

Corriente máxima de drenaje continuo (A)

67

Corriente máxima de fuga de la fuente de puerta (nA)

100

IDSS máximo (uA)

1

Resistencia máxima de la fuente de drenaje (MOhm)

7,5 a 20 V.

Carga típica de puerta @ Vgs (nC)

38,4@10V

Carga típica de puerta a 10 V (nC)

38.4

Capacitancia de entrada típica @ Vds (pF)

1788@15V

Disipación de potencia máxima (mW)

2500

Tiempo de caída típico (ns)

53.2

Tiempo de subida típico (ns)

13

Tiempo de retardo de apagado típico (ns)

61,6

Tiempo de retardo de encendido típico (ns)

15.3

Temperatura mínima de funcionamiento (°C)

-55

Temperatura máxima de funcionamiento (°C)

150

embalaje

Cinta y carrete

Número de pines

8

Nombre del paquete estándar

DFN

Montaje

Montaje superficial

Altura del paquete

1,1 (máx.)

Longitud del paquete

5,1 (máx.)

Ancho del paquete

6,1 (máx.)

PCB cambiado

8

Forma de plomo

Sin plomo