Tecnología Super Trench optimizada para una eficiencia inigualable: transistor MOSFET NCEP40T13GU

El transistor MOSFET de canal N NCEP40T13GU es un chip de alto rendimiento diseñado específicamente para la placa hash Whatsminer M10. Con su tecnología Super Trench única y optimizada, este MOSFET ofrece el rendimiento de conmutación de alta frecuencia más eficiente disponible en el mercado.

Perfecto para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona en Whatsminer M10 Hash Board

El transistor NCEP40T13GU cuenta con una clasificación VDS (voltaje de fuente de drenaje) de 40 V y una clasificación de ID (corriente de drenaje) de 130 A, lo que lo hace adecuado para aplicaciones exigentes. Su combinación extremadamente baja de RDS(ON) (Drain-Source On-Resistance) y Qg (Gate Charge) minimiza las pérdidas de potencia de conmutación y de conducción, lo que garantiza una eficiencia óptima.

Características clave:

• VDS=40V, ID=130A
• RDS(ON)=1.8mΩ (Valor típico) @ VGS=10V
• RDS(ON)=2.8mΩ (Valor típico) @ VGS=4.5V
• Excelente carga de puerta x RDS (encendido)
• RDS muy bajo (encendido)
• Temperatura de funcionamiento de 150 °C.
• Recubrimiento de plomo sin plomo
• 100 % probado UIS (conmutación inductiva sin sujeción)

El transistor MOSFET NCEP40T13GU es perfecto para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, como convertidores CC/CC y rectificación síncrona. Su rendimiento superior de carga de puerta x RDS (encendido) y bajo RDS (encendido) garantizan una gestión eficiente de la energía y una reducción de las pérdidas de energía.

Diseñado específicamente para la placa hash Whatsminer M10, el transistor NCEP40T13GU cumple con las rigurosas demandas de los sistemas de minería de criptomonedas. Sus altas clasificaciones de corriente y voltaje, combinadas con su tecnología Super Trench optimizada, lo convierten en una opción ideal para un funcionamiento confiable y eficiente.