Controlador de puerta IC aislado de doble canal NSi6602B
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CI controlador de puerta de doble canal aislado NSi6602B – Controlador MOSFET para PSU de minería
El NSi6602B es un controlador de puerta de doble canal aislado de alta velocidad diseñado para controlar MOSFET de potencia e IGBT a frecuencias de conmutación de hasta 2MHz. Cada salida suministra 4A y disipa 6A de pico con un retraso de propagación de 25ns y una coincidencia de retraso máxima de 5ns. Cuenta con una inmunidad transitoria de modo común de ±150kV/µs, UVLO en todos los pines de suministro, tiempo muerto programable y funciona de -40°C a 125°C. Suministro de entrada de 2.7–5.5V, suministro del controlador de hasta 25V.
Diferencia con NSI6602BD
El NSi6602B comparte la misma asignación de pines y rendimiento básico que el NSI6602BD, pero está dirigido a grados de fiabilidad y canales de abastecimiento ligeramente diferentes. Ambos ofrecen un rendimiento eléctrico idéntico —control de 4A/6A, retardo de 25ns, coincidencia de 5ns— y son intercambiables en aplicaciones de PSU de minería. Si uno está agotado, el otro es un sustituto directo.
Procedimiento de sustitución
Desconecte la red eléctrica y descargue todos los condensadores. Localice el CI controlador de puerta en la placa de control principal adyacente al circuito de control de puerta MOSFET. Desuelde, limpie las almohadillas, instale el nuevo NSi6602B con el pin 1 alineado y vuelva a soldar. Si el fallo del controlador causó daños en el MOSFET, reemplace también los MOSFET de potencia. Pruebe a través de un variac bajo carga progresiva.
Especificaciones del controlador de puerta NSi6602B
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Número de pieza | NSi6602B |
| Canales | Dual (aislado) |
| Fuente / Disipador pico | 4A / 6A |
| Retardo de propagación | 25ns típico |
| Coincidencia de retardo | 5ns máx. |
| CMTI | ±150kV/µs |
| Suministro de entrada | 2.7–5.5V |
| Suministro del controlador | Hasta 25V (UVLO) |
| Temperatura | -40°C a 125°C |
| Condición | Nuevo |
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