MOSFET de canal N OSG60R070H de alto rendimiento para proyectos electrónicos

Prepárese para un rendimiento excepcional en sus proyectos electrónicos con el MOSFET de canal N OSG60R070H. Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para satisfacer sus necesidades de energía, brindando un funcionamiento confiable y eficiente. Con un VDS (voltaje de fuente de drenaje) de 650 V y VGS (voltaje de fuente de puerta) de 30 V, el OSG60R070H garantiza un rendimiento y versatilidad óptimos.

Paquete TO-247 confiable: explore el poder del MOSFET de canal N OSG60R070H

El paquete TO-247 de este MOSFET es conocido por su durabilidad y confiabilidad, lo que garantiza una funcionalidad duradera. Ya sea que esté trabajando en automatización industrial, fuentes de alimentación, accionamientos de motores u otras aplicaciones electrónicas, el OSG60R070H es la opción perfecta.

Con una ID (corriente de drenaje continua) robusta de 47 A y una ID, pulso (corriente de drenaje de pulso) de 141 A, este MOSFET proporciona amplia potencia para respaldar sus proyectos, sin importar la complejidad. Su baja PD (Disipación de Energía) de 278W asegura una eficiente disipación del calor, garantizando un funcionamiento estable y evitando el sobrecalentamiento.

No comprometa el rendimiento y la confiabilidad. ¡Compre el MOSFET OSG60R070H hoy y lleve sus proyectos electrónicos a nuevas alturas!

Características técnicas: