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Qorvo UJ3C120150K3S MOSFET de canal N 1200V 18.4A 166.7W TO-247-3 para fuente de alimentación Bitmain APW11

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Qorvo UJ3C120150K3S MOSFET de canal N

Mejore sus aplicaciones de electrónica de potencia con el MOSFET de canal N UJ3C120150K3S de Qorvo. Este componente semiconductor discreto está diseñado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia . Con un voltaje de drenaje a fuente (Vdss) de 1200 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 18,4 A (Tc) a 25 °C, este MOSFET ofrece un rendimiento confiable y eficiente.

MOSFET de canal N Qorvo UJ3C120150K3S de alto voltaje y alta potencia para aplicaciones de potencia APW11

El UJ3C120150K3S cuenta con tecnología SiCFET (Cascode SiCJFET), que ofrece capacidades mejoradas de manejo de potencia. Su baja resistencia de encendido (Rds On) de 180 mOhm a 5 A, 12 V garantiza una pérdida de potencia mínima. El MOSFET tiene un voltaje de compuerta-fuente máximo (Vgs) de ±25 V y un voltaje de umbral de compuerta (Vgs(th)) de 5,5 V a 10 mA.

Características del MOSFET de canal N UJ3C120150K3S:

Característica Descripción
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C 18,4 A (Tc)
Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 12 V
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs 180 mOhm a 5 A, 12 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 5,5 V a 10 mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs 30 nC a 15 V
Vgs (máximo) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds 738 pF a 100 V
Disipación de potencia (máxima) 166,7 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje A través del agujero
Paquete / Caja TO-247-3
Número de producto base UJ3C120150


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