S34ML01G100TFI000 - Memoria flash NAND avanzada para soluciones de almacenamiento masivo de estado sólido
Experimente un rendimiento de almacenamiento excepcional con la memoria flash NAND S34ML01G100TFI000 . Diseñada para aplicaciones de almacenamiento masivo de estado sólido, esta memoria de alto rendimiento funciona con fuentes de alimentación de 1,8 VCC y VCCQ y ofrece interfaces de E/S de ×8 y ×16. Sus celdas NAND ofrecen soluciones rentables que garantizan un almacenamiento de datos eficiente.
Aumente el rendimiento de su almacenamiento con la memoria flash NAND S34ML01G100TFI000
La memoria S34ML01G100TFI000 está organizada en bloques que se pueden borrar de forma independiente, lo que permite la eliminación eficiente de datos antiguos y, al mismo tiempo, la preservación de información valiosa. Con una función de caché de lectura, este dispositivo mejora el rendimiento de lectura de archivos grandes . Durante las lecturas de caché, los datos se cargan en los registros de caché mientras se transfieren simultáneamente los datos anteriores al búfer de E/S para una lectura sin interrupciones.
Tabla de características del S34ML01G100TFI000:
Características
Presupuesto
Página leída / Programa
Acceso aleatorio: 25 µs (máx.)
Acceso secuencial: 45 ns (mín.)
Tiempo de programa / Tiempo de programa multiplano: 250 µs (típico)
Borrado de bloques (S34MS01G1)
Tiempo de borrado de bloque: 2,0 ms (típico)
Fiabilidad
100 000 ciclos de programación/borrado (típico) (con ECC de 1 bit por cada 528 bytes (×8) o 264 palabras (×16))
Retención de datos durante 10 años (típico)
Para una estructura de un plano (densidad de 1 Gb)
El bloque cero es válido y será válido durante al menos 1000 ciclos de borrado de programa con ECC
Para estructuras de dos planos (densidades de 2 Gb y 4 Gb)
Los bloques cero y uno son válidos y serán válidos durante al menos 1.000 ciclos de borrado de programa con ECC.
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