MOSFET de potencia de unión súper SRC60R090B para la fuente de alimentación G1240 de Innosilicon
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MOSFET de potencia Super-Junction SRC60R090B | Reemplazo de alta eficiencia de 600 V para reparación de fuentes de alimentación Innosilicon G1240
El SRC60R090B es un MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje fabricado con tecnología avanzada de superunión para la fuente de alimentación Innosilicon G1240. Voltaje de ruptura de 600 V, RDS(on) ultrabajo de 90 mΩ con VGS=10 V, carga de puerta típica ultrabaja de 90.3 nC: ofrece una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional en la etapa de conmutación primaria del G1240.
Cuenta con un diodo de cuerpo intrínseco de recuperación rápida y capacidad de conmutación rápida, diseñado para manejar aplicaciones de alto voltaje con un rendimiento EAS (energía de avalancha de pulso único) robusto. Disponible en encapsulados TO-220F, TO-263-2 y TO-247; debe coincidir exactamente con el encapsulado de su placa de fuente de alimentación G1240.
Cuándo reemplazar el SRC60R090B
- La fuente de alimentación G1240 no tiene salida: MOSFET de conmutación del lado primario abierto o en cortocircuito.
- Fusible de entrada quemado: MOSFET en cortocircuito quemó el fusible al encenderse.
- Disparo repetitivo por sobrecorriente: MOSFET degradado que provoca que el controlador reintente y falle.
- Daños visibles en el cuerpo TO-247 / TO-220F: daños por sobrecalentamiento debido a fallas del ventilador de enfriamiento o sobretemperatura sostenida.
- Degradación del diodo de cuerpo: recuperación lenta que causa una pérdida de conmutación adicional y calor en la etapa primaria.
Especificaciones del SRC60R090B
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Número de pieza | SRC60R090B |
| Tipo | MOSFET de potencia Super-Junction de canal N |
| Voltaje de ruptura | 600V |
| Resistencia en estado activo RDS(on) | 90mΩ a VGS=10V |
| Carga de puerta (típica) | 90.3nC |
| Diodo de cuerpo | Intrínseco de recuperación rápida |
| Capacidad de conmutación | Rápida |
| Rendimiento EAS | Diseño robusto |
| Opciones de encapsulado | TO-220F, TO-263-2, TO-247 |
| Fuente de alimentación compatible | Innosilicon G1240 |
Preguntas frecuentes — MOSFET Super-Junction SRC60R090B
P: ¿Reemplazar en pares en la etapa primaria del G1240?
R: Sí, cuando la PSU utiliza una topología de puente, reemplace en pares coincidentes para mantener las características de conmutación equilibradas. Un solo MOSFET nuevo emparejado con un compañero envejecido desequilibra la carga de la puerta y la resistencia en estado activo, lo que ejerce una tensión desigual en ambos dispositivos.
P: TO-247 vs TO-220F vs TO-263-2 — ¿cuál está en el G1240?
R: Verifique el encapsulado en la placa de su PSU existente antes de realizar el pedido. Diferentes lotes de producción del G1240 pueden usar diferentes encapsulados; coincida exactamente para evitar reelaboraciones de PCB. Tenemos en stock las tres variantes.
P: ¿Reemplazar el IC controlador de puerta cuando este MOSFET muere?
R: Muy recomendable. Los picos de voltaje de un MOSFET en cortocircuito a menudo eliminan al controlador en el mismo evento. Omitir el reemplazo del controlador es una causa común de falla repetida en cuestión de horas.
P: ¿Precios al por mayor para bancos de reparación de PSU Innosilicon G1240?
R: Sí, envíe un correo electrónico a contact@lys-sz.com para cantidades en cinta y carrete y kits de controladores de puerta coincidentes.
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