SRT045N012H MOSFET de potencia de bajo voltaje PDFN5
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Experimente una alta densidad de potencia y una gestión de energía eficiente con el MOSFET de potencia SRT045N012H
El MOSFET de potencia de bajo voltaje SRT045N012H en un encapsulado PDFN5*6 es un componente de primera línea diseñado para satisfacer las demandas de aplicaciones que requieren una excelente densidad de potencia y rectificación sincrónica. Con su baja resistencia de encendido, baja carga de compuerta y tiempos de conmutación rápidos, el SRT045N012H ofrece un rendimiento y una eficiencia excepcionales.
Diseño robusto y conmutación rápida para diversas aplicaciones
El SRT045N012H está fabricado con un diseño robusto que ofrece un rendimiento y una solidez mejorados en el sistema EAS. Presenta características de avalancha altamente robustas con una tensión de ruptura de 45 V, lo que garantiza un funcionamiento estable incluso en condiciones exigentes. Además, mejora el rendimiento de interferencia electromagnética (EMI), lo que contribuye a un funcionamiento más limpio y confiable en sistemas electrónicos sensibles.
SRT045N012H Características técnicas:
| Característica | Descripción |
|---|---|
| RDS(ON) ultrabajo | Resistencia de encendido ultrabaja para una pérdida de potencia mínima |
| Carga de puerta ultrabaja | Carga de puerta baja para una conmutación rápida y con capacidad de respuesta |
| Cambio rápido | Capaz de conmutación rápida para una gestión de energía optimizada |
| Diseño robusto | Diseño robusto para un rendimiento y una robustez mejorados del EAS |
| Mejora de EMI | Mejora el rendimiento de interferencia electromagnética (EMI) para un funcionamiento más limpio |
SRT045N012H Aplicaciones:
- Servidor/Telecomunicaciones
- Convertidores DC/DC
- Fuentes de alimentación de alta potencia
- Sistemas de gestión de baterías
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