STL7NM60N 600V 5.8A MOSFET de potencia de canal N de alta eficiencia y rendimiento
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MOSFET de potencia STL7NM60N: diseño revolucionario para una eficiencia inigualable
Experimente una eficiencia inigualable con el MOSFET de potencia STL7NM60N , un dispositivo revolucionario de canal N diseñado para convertidores de alta eficiencia . Con una estructura vertical y un diseño en franjas, este MOSFET establece nuevos estándares con una de las cargas de compuerta y resistencias de encendido más bajas del mundo.
MOSFET de potencia de canal N de alta eficiencia para aplicaciones de conmutación exigentes
El MOSFET de potencia STL7NM60N está diseñado específicamente para satisfacer las demandas de los convertidores de alta eficiencia . Su resistencia de encendido y cargas de compuerta excepcionalmente bajas garantizan una transferencia de potencia eficiente y minimizan las pérdidas de potencia, lo que mejora el rendimiento general del sistema.
Rendimiento y confiabilidad excepcionales para equipos industriales, variadores de velocidad y fuentes de alimentación
Ideal para aplicaciones de conmutación exigentes , el STL7NM60N ofrece versatilidad en diversas industrias. Ya sea que necesite un control de potencia preciso en equipos industriales, controladores de motores o fuentes de alimentación, este MOSFET ofrece un rendimiento confiable y eficiente.
Repare sus sistemas de conversión de energía con el MOSFET de potencia STL7NM60N , que presenta un diseño revolucionario que establece nuevos puntos de referencia en eficiencia, rendimiento y confiabilidad.
Características técnicas del STL7NM60N:
| Características técnicas | |
|---|---|
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (Óxido Metálico) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V |
| Corriente de drenaje continua (Id) a 25 °C | 5,8 A (Tc) |
| Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado) | 10 V |
| Resistencia máxima de encendido (Rds on) @ Id, Vgs | 900 mΩ a 2,5 A, 10 V |
| Tensión de umbral máxima de compuerta-fuente (Vgs(th)) | 4 V a 250 µA |
| Carga máxima de compuerta (Qg) a Vgs | 14 nC a 10 V |
| Vgs máximos | ±25 V |
| Capacitancia de entrada máxima (Ciss) a Vds | 363 pF a 50 V |
| Disipación máxima de potencia | 68 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C a 150°C (TJ) |
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