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  • STL7NM60N 600V 5.8A N-Channel Power MOSFET High Efficiency and Performance
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STL7NM60N 600V 5.8A MOSFET de potencia de canal N de alta eficiencia y rendimiento

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MOSFET de potencia STL7NM60N: diseño revolucionario para una eficiencia inigualable

Experimente una eficiencia inigualable con el MOSFET de potencia STL7NM60N , un dispositivo revolucionario de canal N diseñado para convertidores de alta eficiencia . Con una estructura vertical y un diseño en franjas, este MOSFET establece nuevos estándares con una de las cargas de compuerta y resistencias de encendido más bajas del mundo.

MOSFET de potencia de canal N de alta eficiencia para aplicaciones de conmutación exigentes

El MOSFET de potencia STL7NM60N está diseñado específicamente para satisfacer las demandas de los convertidores de alta eficiencia . Su resistencia de encendido y cargas de compuerta excepcionalmente bajas garantizan una transferencia de potencia eficiente y minimizan las pérdidas de potencia, lo que mejora el rendimiento general del sistema.

Rendimiento y confiabilidad excepcionales para equipos industriales, variadores de velocidad y fuentes de alimentación

Ideal para aplicaciones de conmutación exigentes , el STL7NM60N ofrece versatilidad en diversas industrias. Ya sea que necesite un control de potencia preciso en equipos industriales, controladores de motores o fuentes de alimentación, este MOSFET ofrece un rendimiento confiable y eficiente.

Repare sus sistemas de conversión de energía con el MOSFET de potencia STL7NM60N , que presenta un diseño revolucionario que establece nuevos puntos de referencia en eficiencia, rendimiento y confiabilidad.

Características técnicas del STL7NM60N:
Características técnicas
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Óxido Metálico)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V
Corriente de drenaje continua (Id) a 25 °C 5,8 A (Tc)
Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 10 V
Resistencia máxima de encendido (Rds on) @ Id, Vgs 900 mΩ a 2,5 A, 10 V
Tensión de umbral máxima de compuerta-fuente (Vgs(th)) 4 V a 250 µA
Carga máxima de compuerta (Qg) a Vgs 14 nC a 10 V
Vgs máximos ±25 V
Capacitancia de entrada máxima (Ciss) a Vds 363 pF a 50 V
Disipación máxima de potencia 68 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C a 150°C (TJ)

Nota para clientes internacionales:

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