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  • Original Toshiba K62N60W MOSFET - High-Voltage Replacement for Bitmain PSUs, N-Channel, 600V, 61.8A, TO-247 Package
  • Reliable Replacement MOSFET - K62N60W from Original Toshiba, Suitable for Bitmain PSUs, 400W Power Dissipation, Low Rds On
  • High-Voltage MOSFET for Bitmain PSUs - Original Toshiba K62N60W, 600V Vdss, 61.8A Id, TO-247 Package, RoHS Compliant
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TK62N60W K62N60W MOSFET de canal N 600V Orificio pasante TO-247 Bitmain APW3 APW8 Reemplazo de la unidad de fuente de alimentación

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MOSFET de repuesto de alto voltaje para fuentes de alimentación Bitmain - Original Toshiba K62N60W


El MOSFET original Toshiba K62N60W es el reemplazo de alto voltaje ideal para las unidades de fuente de alimentación (PSU) Bitmain. Este transistor de efecto de campo de canal N ofrece un voltaje máximo de drenaje a fuente (Vdss) de 600 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 61,8 A, lo que lo hace adecuado para reparar tableros de control de mineros ASIC. Cuenta con un paquete compacto TO-247, lo que garantiza una fácil instalación en diversas aplicaciones.

MOSFET de repuesto confiable para fuentes de alimentación Bitmain: paquete original Toshiba K62N60W, TO-247

Fabricado con tecnología MOSFET de alta calidad, el K62N60W proporciona rendimiento eficiente y confiabilidad. Su baja resistencia de fuente de drenaje (Rds On) de 40 mOhm a 30,9 A y voltaje de fuente de puerta (Vgs) de 10 V permite una gestión eficaz de la energía. Con una carga de puerta (Qg) de 180 nC a 10 V, ofrece un control óptimo para un funcionamiento suave.

Este MOSFET original de Toshiba cumple con RoHS y se usa ampliamente en equipos de comunicación, redes cableadas, sistemas EPOS, computadoras personales y computadoras portátiles. Con un amplio rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a 150 °C, garantiza un rendimiento confiable en diversos entornos.

Características técnicas:

Categoría

Productos semiconductores discretos

Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete

Tubo

Estado de la pieza

Activo

Tipo FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (óxido metálico)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600 voltios

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

61.8A (Ta)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

40 mOhmios a 30,9 A, 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3,7 V a 3,1 mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

180 nC a 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6500 pF a 300 V

Función FET

Súper cruce

Disipación de energía (máx.)

400W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

A través del orificio

Paquete de dispositivo del proveedor

A-247

Paquete / Estuche

A-247-3

Número de producto básico

TK62N60

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