TK62N60W K62N60W MOSFET de canal N para PSU Bitmain APW3 APW8
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MOSFET de reemplazo de alto voltaje para fuentes de alimentación Bitmain: Toshiba K62N60W original
El MOSFET K62N60W original de Toshiba es el reemplazo de alto voltaje ideal para las unidades de suministro de energía (PSU) de Bitmain. Este transistor de efecto de campo de canal N ofrece un voltaje de drenaje a fuente (Vdss) máximo de 600 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 61,8 A, lo que lo hace adecuado para reparar placas de control de mineros ASIC.
MOSFET de repuesto confiable para fuentes de alimentación Bitmain: paquete original Toshiba K62N60W, TO-247
Fabricado con tecnología MOSFET de alta calidad, el K62N60W ofrece un rendimiento eficiente y una gran fiabilidad. Su baja resistencia de drenaje-fuente (Rds On) de 40 mOhm a 30,9 A y un voltaje de compuerta-fuente (Vgs) de 10 V permite una gestión eficaz de la energía.
Características del MOSFET de canal N K62N60W:
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Categoría |
Productos semiconductores discretos |
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Transistores - FET, MOSFET - Sencillos |
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Paquete |
Tubo |
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Estado de la pieza |
Activo |
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Tipo FET |
Canal N |
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Tecnología |
MOSFET (Óxido Metálico) |
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) |
600 voltios |
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Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C |
61,8 A (Ta) |
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Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado) |
10 V |
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Rds activado (máximo) @ Id, Vgs |
40 mOhm a 30,9 A, 10 V |
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Vgs(th) (Máx.) @ Id |
3,7 V a 3,1 mA |
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs |
180 nC a 10 V |
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Vgs (máximo) |
±30 V |
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds |
6500 pF a 300 V |
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Función FET |
Supercruzamiento |
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Disipación de potencia (máxima) |
400 W (Tc) |
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Temperatura de funcionamiento |
150 °C (TJ) |
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Tipo de montaje |
A través del agujero |
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Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-247 |
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Paquete / Caja |
TO-247-3 |
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Número de producto base |
TK62N60 |
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