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  • Original Toshiba K62N60W MOSFET for Bitmain PSU
  • TK62N60W K62N60W N-Channel MOSFET 600V Through Hole TO-247 Bitmain APW3 APW8
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TK62N60W K62N60W MOSFET de canal N 600V Orificio pasante TO-247 Bitmain APW3 APW8 Reemplazo de la unidad de fuente de alimentación

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MOSFET de reemplazo de alto voltaje para fuentes de alimentación Bitmain: Toshiba K62N60W original

El MOSFET K62N60W original de Toshiba es el reemplazo de alto voltaje ideal para las unidades de suministro de energía (PSU) de Bitmain. Este transistor de efecto de campo de canal N ofrece un voltaje de drenaje a fuente (Vdss) máximo de 600 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 61,8 A, lo que lo hace adecuado para reparar placas de control de mineros ASIC.

MOSFET de repuesto confiable para fuentes de alimentación Bitmain: paquete original Toshiba K62N60W, TO-247

Fabricado con tecnología MOSFET de alta calidad, el K62N60W ofrece un rendimiento eficiente y una gran fiabilidad. Su baja resistencia de drenaje-fuente (Rds On) de 40 mOhm a 30,9 A y un voltaje de compuerta-fuente (Vgs) de 10 V permite una gestión eficaz de la energía.


Características del MOSFET de canal N K62N60W:

Categoría

Productos semiconductores discretos

Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete

Tubo

Estado de la pieza

Activo

Tipo FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (Óxido Metálico)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

600 voltios

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C

61,8 A (Ta)

Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado)

10 V

Rds activado (máximo) @ Id, Vgs

40 mOhm a 30,9 A, 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id

3,7 V a 3,1 mA

Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs

180 nC a 10 V

Vgs (máximo)

±30 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds

6500 pF a 300 V

Función FET

Supercruzamiento

Disipación de potencia (máxima)

400 W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

150 °C (TJ)

Tipo de montaje

A través del agujero

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247

Paquete / Caja

TO-247-3

Número de producto base

TK62N60

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