0 Carrito$0.00 USD
  • Bitmain PSU MOSFET TPHR8504PL 40V N-Channel FET - High-Efficiency Power Control
  • TPHR8504 TPHR8504PL MOSFET 40 Volt N-Channel replacement chip for Bitmain PSU Power Supply APW7 APW8 APW9 AWP12
  • Bitmain PSU MOSFET TPHR8504PL 40V N-Channel FET. This high-performance MOSFET is designed to provide exceptional high-speed switching capability, enabling efficient power control in a variety of applications.
1 3

TPHR8504 TPHR8504PL MOSFET chip de repuesto de canal N de 40 voltios para fuente de alimentación Bitmain PSU APW7 APW8 APW9 AWP12

$1.20 USD
$1.20 USD
Oferta Agotado
Los gastos de envío se calculan en la pantalla de pago.

Detalles adicionales

Los gastos de envío se calcularán automáticamente durante el proceso de pago.

Comuníquese con nosotros a través del formulario de contacto para obtener más información y asistencia.
Pago seguro con
  • Visa
  • Mastercard
  • American Express
  • Apple Pay
  • Union Pay
  • Maestro
  • Bitcoin
  • Discover

About the Product

Mejore la eficiencia energética con Bitmain PSU MOSFET TPHR8504PL


Actualice sus convertidores CC-CC de alta eficiencia y reguladores de voltaje de conmutación con el FET de canal N Bitmain PSU MOSFET TPHR8504PL de 40 V. Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para proporcionar una capacidad de conmutación de alta velocidad excepcional, lo que permite un control de potencia eficiente en una variedad de aplicaciones.

MOSFET de alto rendimiento para convertidores CC-CC y reguladores de voltaje

El MOSFET TPHR8504PL presenta una carga de compuerta pequeña, baja resistencia de la fuente de drenaje y baja corriente de fuga, lo que garantiza una alta eficiencia y confiabilidad en la administración de energía . Con un amplio rango de temperatura de funcionamiento de -55 °C a 175 °C (TJ), este MOSFET es adecuado para entornos exigentes.

Características técnicas:

categoria de producto

MOSFET

Tecnología

Si

Estilo de montaje

SMD/SMT

Paquete / Estuche

POE-8

Polaridad del transistor

Canal N

número de canales

1 canal

Vds - Voltaje de ruptura drenaje-fuente

40 voltios

Id - Corriente de drenaje continua

150 A

Rds On - Resistencia drenaje-fuente

850 uOhmios

Vgs - Voltaje puerta-fuente

- 20V, + 20V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente

1,4 voltios

Qg - Carga de puerta

103 nC

Temperatura mínima de funcionamiento

- 55ºC

Temperatura máxima de funcionamiento

+ 175ºC

Pd - Disipación de potencia

170W

Modo de canal

Mejora

Configuración

Soltero

Altura

0,95 milímetros

Longitud

5 milímetros

Serie

U-MOSIX-H

Tipo de transistor

1 canal N

Ancho

5 milímetros

Otoño

14 segundos

tipo de producto

MOSFET

Hora de levantarse

13 segundos

Tiempo de retardo típico de apagado

63 ns

Tiempo de retardo de encendido típico

26 ns

Unidad de peso

0,002926 onzas

Ver todos los detalles

Publicaciones de blog

Ver todos los blogs

Contáctenos

Tienes preguntas?

Si desea obtener más información sobre nosotros y nuestros productos, ¡contáctenos!

Datos de contacto

LYS-SZ

+86 182 1872 0821

Síganos

Te podría gustar