MOSFET de potencia avanzada de canal P VS3510AP para placa Hash Antminer D7 L7
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Experimente un rendimiento mejorado con el MOSFET de potencia VS3510AP
Actualice su placa de hash Antminer D7 L7 con el potente y eficiente MOSFET de potencia avanzado de canal P VS3510AP. Este transistor avanzado está diseñado para optimizar el rendimiento y ofrecer capacidades de conmutación ultrarrápidas, lo que lo convierte en la opción perfecta para mejorar su configuración de minería .
Capacidades de conmutación rápida para su placa hash Antminer D7
El MOSFET VS3510AP cuenta con un modo mejorado y una baja resistencia de encendido (RDS(on)) a un VGS de -4,5 V, lo que garantiza un suministro de energía eficiente. Con su control de nivel lógico de -5 V, integrarlo en su configuración existente es muy sencillo. Puede experimentar un funcionamiento perfecto y un rendimiento mejorado con este componente de vanguardia.
Tabla de características técnicas del MOSFET VS3510AP:
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Tipo de transistor | Canal P |
| Tecnología | MOSFET de potencia avanzado |
| Resistencia activada (RDS(on)) | Bajo @ VGS = -4,5 V |
| Control de nivel lógico | -5 V |
| Tensión de ruptura de drenaje-fuente | -30 V |
| Corriente de drenaje de pulso | Probado hasta 180A |
| Disipación de potencia (máxima) | 37W |
| Aplicaciones | Placa hash Antminer D7 L7 y usos compatibles |
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